FF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
|
|
- Leen Claes
- 5 jaren geleden
- Aantal bezoeken:
Transcriptie
1 PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / CES = IC nom = 9A / ICRM = A TypischeAnwendungen Motorantriebe AnwendungenfürResonanzUmrichter Traktionsumrichter US-Systeme Windgeneratoren TypicalApplications MotorDrives ResonantInverterAppliccations TractionDrives UPSSystems WindTurbines ElektrischeEigenschaften ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop GroßeDC-Festigkeit Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom NiedrigeSchaltverluste SehrgroßeRobustheit CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures ExtendedOperationTemperatureTvjop HighDCStability High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent LowSwitchingLosses UnbeatableRobustness CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften 4kACminIsolationsfestigkeit GehäusemitCTI> GroßeLuft-undKriechstrecken HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HoheLeistungsdichte SubstratfürkleinenthermischenWiderstand MechanicalFeatures 4kACminInsulation PackagewithCTI> HighCreepageandClearanceDistances HighPowerandThermalCyclingCapability HighPowerDensity SubstrateforLowThermalResistance ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage CES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = C, Tvj max = 75 C IC nom 9 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tp = ms ICRM A Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25 C, Tvj max = 75 C Ptot 5, kw Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 9 A, GE = 5 IC = 9 A, GE = 5 IC = 9 A, GE = 5 Tvj = 5 C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 33, ma, CE = GE, Gateladung Gatecharge CE sat typ. max.,75 2,5 2, 2,5 GEth 5,2 5,8 6,4 GE = QG 6,4 µc InternerGatewiderstand Internalgateresistor RGint,2 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 54, nf Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = MHz,, CE = 25, GE = Cres 3, nf Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent CE =, GE =, ICES 5, ma Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent CE =, GE = 2, IGES na td on,2,22,22 tr,,2,3 td off,66,75,79 tf,9,4,5 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 9 A, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω Tvj = 5 C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 9 A, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω Tvj = 5 C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 9 A, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 9 A, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 9 A, CE =, LS = 45 nh GE = ±5, di/dt = 57 A/ (Tvj = 5 C) RGon =,3 Ω Tvj = 5 C Eon 55, 7, 8, AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 9 A, CE =, LS = 45 nh GE = ±5, du/dt = 3 / (Tvj = 5 C) RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C Eoff 85, 2 3 Kurzschlußverhalten SCdata GE 5, CC = 9 CEmax = CES -LsCE di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proigbt/perigbt Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 4, TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -4 2 tp, Tvj = 5 C 3 A 29,5 K/kW K/kW 5 C
3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tp = ms Grenzlastintegral I²t-value R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C RRM IF 9 A IFRM A I²t 9, 88, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max.,9,85,8 2,3 ka²s ka²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 9 A, GE = IF = 9 A, GE = IF = 9 A, GE = Tvj = 5 C F Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C IRM A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Qr 9, 5 95 µc µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Erec 4, 8, 9, prodiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper prodiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 25,5 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -4 5 min. typ. max. R25 5, kω R/R -5 5 % P25 2, mw Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 53,5 K/kW K/kW C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25 C AbweichungvonR DeviationofR TC = C, R = 493 Ω erlustleistung Powerdissipation TC = 25 C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/ K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 34 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. 3
4 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 5 Hz, t = min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kriechstrecke Creepagedistance ISOL 4, k Cu Al2O3 Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 33, 33, mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 9, 9, mm ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > min. typ. RthCH 4,5 LsCE 8 nh RCC'+EE',3 mω Tstg -4 5 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote,8-2, Nm M 8, - Nm Gewicht Weight G 825 g Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper promodul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25 C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 4 max. K/kW
5 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C Tvj = 5 C IC [A] IC [A],,5, GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = 9,5 2, CE [] 2,5 3, 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2,,5,,5 2, 2,5 3, CE [] 3,5 4, 4,5 5, SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.3Ω,RGoff=.5Ω,CE= Tvj = 5 C Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C 25 E [] IC [A] GE [] 2 5 IC [A]
6 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=9A,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 45 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C ZthJC : IGBT 35 ZthJC [K/kW] E [] i: ri[k/kw]:, ,3 τi[s]:,8,3,5,6 5,, 2, 3, 4, RG [Ω] 5, 6, 7,,, 8, SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C IC, Modul IC, Chip,, t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) Tvj = 5 C IF [A] IC [A] CE [] 6,,5,,5 F [] 2, 2,5 3,
7 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.3Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=9A,CE= 2 2 Erec, Erec, Tvj = 5 C E [] E [] Erec, Erec, Tvj = 5 C IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t),, 2, 3, 4, RG [Ω] 5, 6, 7, 8, 4 6 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/kW] i: ri[k/kw]: 4,5 2,7 35,4,9 τi[s]:,8,3,5,6,,,, t [s] TC [ C] 2
8 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines 8
9 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. 9
10 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to iew Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon:
F3L300R12MT4_B23. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC J CES = 1 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
Nadere informatieFF650R17IE4V. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePCK 2ModulundNTC PrimePCK 2moduleandNTC / CES = 7 IC nom = 65 / ICRM = Typischenwendungen Hybrid-Nutzfahrzeuge Typicalpplications Commercialgricultureehicles ElektrischeEigenschaften ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
Nadere informatieFD800R17HP4-K_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
/ CES = 7 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Chopper-nwendungen Chopperpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Traktionsumrichter TractionDrives Windgeneratoren WindTurbines
Nadere informatieDF650R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc / CES = IC nom = 65 / ICRM = Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Chopper-nwendungen Hochleistungsumrichter Windgeneratoren Typicalpplications 3-Level-pplications
Nadere informatieFP100R06KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nf
EconoPIM 3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewithfasttrench/fiedstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
Nadere informatieFP75R06KE3. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
Nadere informatieF3L150R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L400R12PT4_B26. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/ntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen
Nadere informatieFP25R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Nadere informatieFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFP75R07N2E4_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
e EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = 65 IC nom = 75 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFP75R12KT4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPIM 3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen
Nadere informatieFP10R06W1E3_B11. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC. VCES = 600V IC nom = 10A / ICRM = 20A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandpressfit/ntc CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L300R12PT4_B26. EconoPACK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPACK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
EconoPCK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC / Š» = 2 I ÒÓÑ = / I ç = Typischenwendungen Typicalpplications Solar nwendungen
Nadere informatieF3L75R12W1H3_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e / J CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiederinduktivesDesign
Nadere informatieFP25R12KT4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieDF75R12W1H4F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
J VCES = 12V IC nom = 75 / ICRM = 15 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
Nadere informatievan Ministerie van Defensie, Marinebedrijf Standaarden Laboratorium van de Techniek Groep Defensie Speciale Producten
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Nieuwe Haven, Noord Voorlandweg, Gebouw Kaiser, Kamer D-1-016 1781 ZZ Den Helder Nederland LF 0 0 LF 1 0 LF 1 1 DC/LF Grootheden
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Voorsterweg 31 8316 PR Marknesse Nederland Locatie waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor LF 0 0 DC/LF Grootheden LF 1 0 Gelijkspanning 0 µv - 10 µv 0,2 µv Meten 10 µv - 2
Nadere informatieb 1 m/s c 2,5 m d 76 m 44 a 4 m/s 45 a 0,5 m/s b 20 m/s c 1,1 m
Uitkomsten Hoofdstuk 1 1 C 4 200 flitsen per seconde 5 100 flitsen per seconde 7 c 80 cm d 0,034 s 2 a 17 cm b 43 cm/s 4 a 1500 m/s b 25 m/s c 10,4 m/s d 5,4 10 3 km/h 90 km/h 37,6 km/h 5 a 0,8 s 6 a 1
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 650VCoolMOS CEPowerTransistor IPS65R1K5CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPL60R650P6S. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6600V 600VCoolMOS E6PowerTransistor IPx60R190E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6600V IPx60R190E6 DataSheet Rev.2.2 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R065C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieLocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid
LocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico. Al deze
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R1K4CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPx5R1K4CE DataSheet Rev.. Final PowerManagement&Multimarket 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPD5R1K4CE,IPU5R1K4CE
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Locatie Afkorting Hoofdlocatie Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Verslag Transistoren. Spanningsversterking. De transistor is slechts een stroomversterker. Die tot spanningsversterker kan worden uitgebreid. Hiervoor plaatsen we een weerstand
Nadere informatieZelio Count - XBK. b XBKH b XBKT b XBKP b XBKP b LCD RC b / LCD RC b LCD RC b LCD RC b...
Zelio Count! Zelio Count - XBK b XBKH......................................... b XBKT............................................. b XBKP........................................ 6 b XBKP6...................................
Nadere informatieStroom berekening IGBT power stage:
Huebner laat de keuze van de power stage onderdelen open. Geselecteerde onderdelen: IXYS IGBT IXGN200N60B3 5 tot 40 khz fast punch through, low Vce(sat), 300A/600V. IXYS FRED DSEI2x101-06A fast soft recovery
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx60R1K0CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 17,5 mm breed, modulaire bouwvorm
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPD65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieRepetitie Elektronica (versie A)
Naam: Klas: Repetitie Elektronica (versie A) Opgave 1 In de schakeling hiernaast stelt de stippellijn een spanningsbron voor. De spanningsbron wordt belast met weerstand R L. In het diagram naast de schakeling
Nadere informatie+31 (0) E:
Waterbestendige multi-meter METRAHIT OUTDOOR water- en stofbestendig / meerdere functies / reële effectieve waarde (TRMS) / type bescherming IP65 / automatische terminal vergrendeling / meet temperatuur
Nadere informatieSerie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A
Serie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A Modulaire solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 240 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A Met of zonder nuldoorgangsfunctie 17,5 mm breed AC-uitgangscircuit
Nadere informatieOplossing oefeningen. Deel 1: Elektriciteit
Oplossing oefeningen Afhankelijk van je oplossingsmethode en het al dan niet afronden van tussenresultaten, kun je een lichtjes verschillende uitkomst verkrijgen. Deel 1: Elektriciteit Hoofdstuk 1: Elektrische
Nadere informatieDilos/Fulos - Lastscheidingsschakelaars
Dilos/Fulos Lastscheidingsschakelaars A Aansluitschema s Dilos/Fulos Aansluitschema s Fulos Plus I Index/overzicht van het hoofdstuk Installatieschema s Dilos L Lastscheidingsschakelaars Dilos DIN rail
Nadere informatieFluke 170-serie True-RMS digitale multimeters
TECHNISCHE GEGEVENS Fluke 170-serie True-RMS digitale multimeters De DMM's van de Fluke-serie 170 zijn de industriële instrument voor het lokaliseren van storingen in elektrische en elektronische systemen
Nadere informatie- Indicatie batterij status - Het LCD scherm van de multimeter heeft achtergrondverlichting en staafdiagram - Multimeter met intern geheugen (32.
Handheld Multimeter PCE-DM 22 Handmatige TRUE RMS data logger multimeter met meerdere meetfuncties, geheugen / data logger, RS-232 interface en software standaarden: IEC 1010 1000 V CAT III Deze handmatige
Nadere informatie1 2 3 4 5 A B 6 7 8 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000
Nadere informatie1 10 2 3 4 5 7 9 A B 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 170 150 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM [Nm] 475 450 425 400 375 350
Nadere informatie1
1 2 3 4 5 A B 7 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM
Nadere informatie1 2 3 4 5 7 A B 9 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000 2500
Nadere informatie1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500
Nadere informatieModule 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen.
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen. 1. Opgaven. - Zoek de bijzonderste principe schema s en datagegevens. Meet de opstellingen
Nadere informatieOnderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Nadere informatieOnderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R400CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx6R4CE DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieInhoudsopgave LED dobbelsteen
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Dobbelstenen...3 Project: Dobbelsteen met LED s...3 Inleiding...3 Werking...3 Berekeningen...4 Frequentie...4 Bits...4 LED voorschakelweerstanden...4 Schema...4 Printplaat...5
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6 650VCoolMOS E6PowerTransistor lps65r600e6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6 lps65r600e6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDVM830L -- Digitale Mini Multimeter
1. Beschrijving -- Digitale Mini Multimeter De is een compacte multimeter met een 3 ½ digit LCD. Met dit apparaat kunt u AC en DC spanning, DC stroom, weerstanden, diodes en transistors meten. Het apparaat
Nadere informatieOptiMOSTM OptiMOSTMFD Power-Transistor, 250 V
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description Features N-channel,normallevel FastDiode(FD)withreducedQrr Optimizedforhardcommutationruggedness
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 600VCoolMOS C7PowerTransistor IPW60R099C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 800VCoolMOS CEPowerTransistor IPA80R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance
Nadere informatieHeatermeter 4.0 assemblage Document rev. V1.10 Datum: Door Camiel Berkers
Bouwverslag HeaterMeter 4.0 project Door: Camiel berkers a.k.a Camiel de barbecueman 203+ Camiel Berkers P a g e Stuklijst: aantal waarde Referentie op de print 0R (voorschakel weerstand backlight LCD)
Nadere informatieVoor afmetingen waarvoor geen bewerkingsprijs staat vermeld gelden de prijzen op aanvraag
19 x 13 x 19 x 1,5 mm 0,57 314,00 324,00 344,00 364,00 20 x 15 x 20 x 1,5 mm 0,61 314,00 324,00 344,00 364,00 25 x 15 x 25x 2 mm 0,96 227,00 237,00 257,00 277,00 10 x 20 x 10 x 2 mm 0,56 227,00 237,00
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPW6R23P6,IPP6R23P6,IPA6R23P6
Nadere informatieOnderwijs op maat voor uitdaging en motivering Enkel 1
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een stroom loopt als er een gesloten stroomkring is. (aantal elektronen per seconde) Weerstand
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 065-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatietemperatuur-meetversterker 1-kanalig IM34-11EX-CI/K60
1 / 5 Hans Turck GmbH & Co.KG ñ D-45472 Mülheim an der Ruhr ñ Witzlebenstraße 7 ñ Tel. 0208 4952-0 ñ Fax 0208 4952-264 ñ more@turck.com ñ www.turck.com Met de e temperatuur-meetversterker van het type
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 77.01.x.xxx.8050 77.01.x.xxx.8051
Nadere informatieAntwoorden Natuurkunde Hoofdstuk 1
Antwoorden Natuurkunde Hoofdstuk 1 Antwoorden door een scholier 3703 woorden 23 maart 2011 5,3 69 keer eoordeeld Vak Methode Natuurkunde Banas Tekstoek Gecursiveerde tekst is een toelichting op het antwoord.
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPA60R280P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R099P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R99P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPP65R125C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R380P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R38P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPP6R38P6,IPA6R38P6,IPD6R38P6
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R045C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R190CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDC+AC TRMS WATTMETER-STROOMTANG TURBOTECH TT3348
DC+C TRMS WTTMETER-STROOMTNG TURBOTECH TT3348 Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen voor verdere
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R070C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket IPW6R23P6,IPB6R23P6,IPP6R23P6, 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
Nadere informatieISOLATIEMETER. Turbotech TT5503 VEILIGHEIDSINFORMATIE
ISOLATIEMETER Turbotech TT5503 50 0 0 0 0-ADJ EILIGHEIDSINFORMATIE Lees aandachtig onderstaande veiligheidsinformatie alvorens de meter te bedienen of te herstellen. Om schade aan het toestel te voorkomen,
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPB65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie+31 (0) E:
Thermo-hygrometer PCE-EM 886 inclusief geluidssensor, lichtsensor, temperatuursensor, vochtigheidssensor, externe temperatuursensor (K-type) en digitale auto-ranging multimeter / groot LCD-beeldscherm
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. OptiMOS TM OptiMOS TM 5Power-Transistor,100V BSC035N10NS5. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.. Final PowerManagement&Multimarket Description SuperSO8 Features OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. %avalanchetested
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Smaragdstraat 7 7554 TD ngelo OV Nederland Locatie Afkorting Smaragdstraat 7 7554 TD ngelo OV Nederland LF 0 0 Meetgebied
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CFD2650VThinpak 650VCoolMOS CFD2PowerTransistor IPL65R165CFD.
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CFD2650VThinpak DataSheet Rev.2.0 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS ThinkPAK8x8 650VCoolMOS E6PowerTransistor IPL65R660E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS ThinkPAK8x8 DataSheet Rev.2.1 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. OptiMOS TM OptiMOS ª 5Power-Transistor,80V IPB024N08N5. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description D²PAK Features Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)
Nadere informatieLocobuffer Handleiding
Locobuffer Handleiding HDM09 Disclaimer van Aansprakelijkheid: Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico.
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. OptiMOS TM OptiMOS TM 5Power-MOSFET,30V BSC0504NSI. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description SuperSO8 Features Optimizedforhighperformancebuckconverters MonolithicintegratedSchottkylikediode
Nadere informatieElektronische basisschakelingen: Oplossingen 1
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen Aki Sarafianos (aki.sarafianos@esat.kuleuven.be) ESAT 9.22 November 4, 202 Oefening op spannindelers, wetten van Kirchoff en equivalente schakelingen R v R
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. OptiMOS TM OptiMOS TM 5Power-MOSFET,25V BSC026NE2LS5. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description SuperSO8 Features Optimizedforhighperformancebuckconverters VerylowonresistanceRDS(on)@VGS=4.5V
Nadere informatieOpgave 2 Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat.
Uitwerkingen 1 A Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat. Een ideale spanningsbron levert bij elke stroomsterkte dezelfde spanning.
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CFD2650VThinpak 650VCoolMOS CFD2PowerTransistor IPL65R460CFD.
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CFD2650VThinpak DataSheet Rev.2.0 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie1507/1503. Insulation Testers. Technical Data. Features and benefits:
1507/1503 Insulation Testers Technical Data The Fluke 1507 and 1503 Insulation Testers are compact, rugged, reliable, and easy to use. With their multiple test voltages, they are ideal for many troubleshooting,
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. OptiMOS TM OptiMOS TM 5Power-MOSFET,30V BSZ0506NS. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor OptiMOS TM DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description Features Optimizedforhighperformancebuckconverters(Server,VGA) VerylowFOMQOSSforhighfrequencySMPS
Nadere informatieUitwerking examen e tijdvak
Uitwerking examen 2016 2 e tijdvak Let op: het is noodzakelijk om de formule op te schrijven en duidelijk aan te geven welke grootheid er wordt uitgerekend!! Vraag 1. lager, kleiner 1 Het scorepunt alleen
Nadere informatie