FP75R06KE3. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
|
|
- Guus de Jonge
- 4 jaren geleden
- Aantal bezoeken:
Transcriptie
1 EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = 8 C, Tvj max = C TC = 25 C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM 5 TC = 25 C, Tvj max = Ptot 25 W GES +/-2 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC CE sat 95,,,7, IC =,2 m, CE = GE, GEth 4,9 5,8 6,5 GE = QG, RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 4, nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres, nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC =, CE = GE = ±5 RGon = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGon = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff = Ω IC =, CE =, LS = nh GE = ±5, di/dt = 2 / () RGon = Ω IC =, CE =, LS = nh GE = ±5, du/dt = 2 / () RGoff = Ω GE 5, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,6,65,7,,65,7,4,5,6 3,5 4, 4,5 2, 3, 3, proigbt/perigbt RthJC, K/W proigbt/perigbt RthCH,6 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s
2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = ms IFRM 5 R =, tp = ms, R =, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 I²t F IRM Qr Erec 6,55,5, 38, 48, 5, 2, 4, 5,,35,8, ²s ²s,95 prodiode/perdiode RthJC,95 K/W prodiode/perdiode RthCH,255 K/W Tvj op -4 5 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM TC = 8 C IFRMSM TC = 8 C IRMSM tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IFSM I²t , IF = F,5 ²s ²s, R = IR, m prodiode/perdiode RthJC,5 K/W prodiode/perdiode RthCH,35 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s 2
3 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = 8 C, Tvj max = C TC = 25 C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM TC = 25 C, Tvj max = Ptot W GES +/-2 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 IC CE sat 5,,,7, IC =,8 m, CE = GE, GEth 4,9 5,8 6,5 GE = QG,5 RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 3, nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres,95 nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 43 Ω IC = 5, CE =, LS = t.b.d. nh GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE =, LS = t.b.d. nh GE = ±5 RGoff = 43 Ω GE 5, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,6,65,7,,65,7,4,5,6 2, 2, 2,, 2, 2, proigbt/perigbt RthJC,8 K/W proigbt/perigbt RthCH,7 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s 3
4 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF 2 tp = ms IFRM 4 R =, tp = ms, R =, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = IRM IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = Qr IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = Erec I²t F,,,,55,5 36, 38, 42,,,7 2,2,25,4,55 ²s ²s 2, prodiode/perdiode RthJC 2, K/W prodiode/perdiode RthCH,62 K/W Tvj op -4 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5, kω TC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/5 33 K R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 t.b.d. K R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ t.b.d. K preparedby:s 4
5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL 2,5 k Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 CTI > 225 promodul/permodule, 7,5 min. typ. max. mm mm RthCH,9 K/W LsCE nh TC=25 C,proSchalter/perswitch Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier RCC'+EE' R'+CC' 4, 2, Tvj max Tvj op Tstg C SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote mω C C C C M 3, - 6, Nm G g preparedby:s 5
6 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = IC [] IC [] 5 5,,5,,5 2, 2,5 3, CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=Ω,RGoff=Ω,CE= Eon, Eoff, Eon, Eoff, IC [] E [] GE [] IC [] preparedby:s 6
7 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) E [] Eon, Eoff, Eon, Eoff, RG [Ω] ZthJC [K/W], ZthJC : IGBT i: ri[k/w]: τi[s]:,36, 2,98,2 3,92,5 4,74,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=Ω,Tvj=5 C 65 IC, Modul 5 IC, Chip 35 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IC [] 2 5 IF [] CE [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, F [] preparedby:s 7
8 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,CE= 2,,8 Erec, Erec, 2,,8 Erec, Erec,,6,6,4,4,2,2 E [], E [],,8,8,6,6,4,4,2,2, IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) IF=f(F) ZthJC : Diode ZthJC [K/W], IF [] i: ri[k/w]: τi[s]:,57, 2,335,2 3,4,5 4,25,,,,, t [s] 5,,2,4,6,8,,2,4,6 F [] preparedby:s 8
9 usgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=5 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) IC [] 5 IF [] ,,5,,5 2, 2,5 3, CE [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 F [] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TC [ C] preparedby:s 9
10 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:s
11 preparedby:s Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
F3L300R12MT4_B23. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC J CES = 1 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
Nadere informatieFP25R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Nadere informatieFP75R07N2E4_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
e EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = 65 IC nom = 75 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L150R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFP10R06W1E3_B11. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC. VCES = 600V IC nom = 10A / ICRM = 20A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandpressfit/ntc CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFD800R17HP4-K_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
/ CES = 7 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Chopper-nwendungen Chopperpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Traktionsumrichter TractionDrives Windgeneratoren WindTurbines
Nadere informatieF3L400R12PT4_B26. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/ntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen
Nadere informatieDF75R12W1H4F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
J VCES = 12V IC nom = 75 / ICRM = 15 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
Nadere informatieFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L75R12W1H3_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e / J CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiederinduktivesDesign
Nadere informatieFF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / CES = IC nom = 9A / ICRM = A TypischeAnwendungen Motorantriebe
Nadere informatieb 1 m/s c 2,5 m d 76 m 44 a 4 m/s 45 a 0,5 m/s b 20 m/s c 1,1 m
Uitkomsten Hoofdstuk 1 1 C 4 200 flitsen per seconde 5 100 flitsen per seconde 7 c 80 cm d 0,034 s 2 a 17 cm b 43 cm/s 4 a 1500 m/s b 25 m/s c 10,4 m/s d 5,4 10 3 km/h 90 km/h 37,6 km/h 5 a 0,8 s 6 a 1
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Voorsterweg 31 8316 PR Marknesse Nederland Locatie waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor LF 0 0 DC/LF Grootheden LF 1 0 Gelijkspanning 0 µv - 10 µv 0,2 µv Meten 10 µv - 2
Nadere informatieLocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid
LocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico. Al deze
Nadere informatieStroom berekening IGBT power stage:
Huebner laat de keuze van de power stage onderdelen open. Geselecteerde onderdelen: IXYS IGBT IXGN200N60B3 5 tot 40 khz fast punch through, low Vce(sat), 300A/600V. IXYS FRED DSEI2x101-06A fast soft recovery
Nadere informatievan Ministerie van Defensie, Marinebedrijf Standaarden Laboratorium van de Techniek Groep Defensie Speciale Producten
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Nieuwe Haven, Noord Voorlandweg, Gebouw Kaiser, Kamer D-1-016 1781 ZZ Den Helder Nederland LF 0 0 LF 1 0 LF 1 1 DC/LF Grootheden
Nadere informatie1 2 3 4 5 A B 6 7 8 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000
Nadere informatie1 10 2 3 4 5 7 9 A B 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 170 150 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM [Nm] 475 450 425 400 375 350
Nadere informatie1
1 2 3 4 5 A B 7 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM
Nadere informatie1 2 3 4 5 7 A B 9 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000 2500
Nadere informatie1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Verslag Transistoren. Spanningsversterking. De transistor is slechts een stroomversterker. Die tot spanningsversterker kan worden uitgebreid. Hiervoor plaatsen we een weerstand
Nadere informatieVoor afmetingen waarvoor geen bewerkingsprijs staat vermeld gelden de prijzen op aanvraag
19 x 13 x 19 x 1,5 mm 0,57 314,00 324,00 344,00 364,00 20 x 15 x 20 x 1,5 mm 0,61 314,00 324,00 344,00 364,00 25 x 15 x 25x 2 mm 0,96 227,00 237,00 257,00 277,00 10 x 20 x 10 x 2 mm 0,56 227,00 237,00
Nadere informatieDilos/Fulos - Lastscheidingsschakelaars
Dilos/Fulos Lastscheidingsschakelaars A Aansluitschema s Dilos/Fulos Aansluitschema s Fulos Plus I Index/overzicht van het hoofdstuk Installatieschema s Dilos L Lastscheidingsschakelaars Dilos DIN rail
Nadere informatie- Indicatie batterij status - Het LCD scherm van de multimeter heeft achtergrondverlichting en staafdiagram - Multimeter met intern geheugen (32.
Handheld Multimeter PCE-DM 22 Handmatige TRUE RMS data logger multimeter met meerdere meetfuncties, geheugen / data logger, RS-232 interface en software standaarden: IEC 1010 1000 V CAT III Deze handmatige
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6 650VCoolMOS E6PowerTransistor lps65r600e6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6 lps65r600e6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieZelio Count - XBK. b XBKH b XBKT b XBKP b XBKP b LCD RC b / LCD RC b LCD RC b LCD RC b...
Zelio Count! Zelio Count - XBK b XBKH......................................... b XBKT............................................. b XBKP........................................ 6 b XBKP6...................................
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 650VCoolMOS CEPowerTransistor IPS65R1K5CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 800VCoolMOS CEPowerTransistor IPA80R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 600VCoolMOS C7PowerTransistor IPW60R099C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieInhoudsopgave LED dobbelsteen
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Dobbelstenen...3 Project: Dobbelsteen met LED s...3 Inleiding...3 Werking...3 Berekeningen...4 Frequentie...4 Bits...4 LED voorschakelweerstanden...4 Schema...4 Printplaat...5
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPW6R23P6,IPP6R23P6,IPA6R23P6
Nadere informatietemperatuur-meetversterker 1-kanalig IM34-11EX-CI/K60
1 / 5 Hans Turck GmbH & Co.KG ñ D-45472 Mülheim an der Ruhr ñ Witzlebenstraße 7 ñ Tel. 0208 4952-0 ñ Fax 0208 4952-264 ñ more@turck.com ñ www.turck.com Met de e temperatuur-meetversterker van het type
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPA60R280P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R099P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R99P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R380P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R38P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPP6R38P6,IPA6R38P6,IPD6R38P6
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R065C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx60R1K0CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R190CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket IPW6R23P6,IPB6R23P6,IPP6R23P6, 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 17,5 mm breed, modulaire bouwvorm
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPD65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R400CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx6R4CE DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieFluke 170-serie True-RMS digitale multimeters
TECHNISCHE GEGEVENS Fluke 170-serie True-RMS digitale multimeters De DMM's van de Fluke-serie 170 zijn de industriële instrument voor het lokaliseren van storingen in elektrische en elektronische systemen
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPB65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6600V 600VCoolMOS E6PowerTransistor IPx60R190E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6600V IPx60R190E6 DataSheet Rev.2.2 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie+31 (0) E:
Waterbestendige multi-meter METRAHIT OUTDOOR water- en stofbestendig / meerdere functies / reële effectieve waarde (TRMS) / type bescherming IP65 / automatische terminal vergrendeling / meet temperatuur
Nadere informatieSerie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A
Serie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A Modulaire solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 240 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A Met of zonder nuldoorgangsfunctie 17,5 mm breed AC-uitgangscircuit
Nadere informatie1
1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 [kw][ps] 110 150 350 330 310 100 136 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Locatie Afkorting Hoofdlocatie Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPL60R650P6S. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieLocobuffer Handleiding
Locobuffer Handleiding HDM09 Disclaimer van Aansprakelijkheid: Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico.
Nadere informatieElektronische basisschakelingen: Oplossingen 1
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen Aki Sarafianos (aki.sarafianos@esat.kuleuven.be) ESAT 9.22 November 4, 202 Oefening op spannindelers, wetten van Kirchoff en equivalente schakelingen R v R
Nadere informatie23 cm 5 Watt klasse A eindtrap. 23cm PA. PAØVRE feb
1 23cm PA PAØVRE 2 23 cm 5 Watt klasse A eindtrap Herman van Rees, PA0VRE Met de transistors BFQ 68 and BFQ 136 (ON921) kun je een medium power versterker met een versterking van ongeveer 15 db en een
Nadere informatieRepetitie Elektronica (versie A)
Naam: Klas: Repetitie Elektronica (versie A) Opgave 1 In de schakeling hiernaast stelt de stippellijn een spanningsbron voor. De spanningsbron wordt belast met weerstand R L. In het diagram naast de schakeling
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R500CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx50R500CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieSerie 7E - Energiemeter. Gegevens PTB 1
Gegevens Energiemeter - eenfasig 7E.13 5(32) - breedte 1 module 7E.16 10(65) - breedte 2 modules Voldoet aan de normen E 053-21 en pre 50470 Voldoet aan de verplichte Europese richtlijn 2004/22/EG voor
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 065-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatieCircuits and Signal Processing ET2405-d2
Circuits and Signal Processing ET2405-d2 3 e college Arie van Staveren en Wouter A. Serdijn ET2045-d2 / 3 e college 1 Leerdoelen Na afloop van dit college kan je: oorzaken aangeven van variaties in elementwaarden;
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R950CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDC+AC TRMS WATTMETER-STROOMTANG TURBOTECH TT3348
DC+C TRMS WTTMETER-STROOMTNG TURBOTECH TT3348 Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen voor verdere
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 77.01.x.xxx.8050 77.01.x.xxx.8051
Nadere informatieFUSERBLOC Schakelaars-scheiders met zekeringen voor industriële zekeringen tot 1250 A
fuser_539_a_1_cat fuser_532_a_1_cat fuser_548_a_1_cat 25 tot 32 A 630 tot 1250 A 32 tot 400 A Functie De zijn meerpolige handbediende schakelaars-scheiders met zekeringen. Ze zorgen voor het in- en uitschakelen
Nadere informatiei?_ I-I_ -t- sondering mast 70
l ; 11 ALCEAEEN PAL(NLAN PER MAST / "" : r _ " ll"t / f k,,, 4tp (tioifo, _,,_, ;; 1J_ lfll 1 l " f DETAil PAAl NA;Cnt:PAA _,14,4 1 + 8nm CROUTSCHL, Q), DOORSNEDE PAALKoP Conusweerstand in MP a Wrijvongsgetat
Nadere informatieOplossing oefeningen. Deel 1: Elektriciteit
Oplossing oefeningen Afhankelijk van je oplossingsmethode en het al dan niet afronden van tussenresultaten, kun je een lichtjes verschillende uitkomst verkrijgen. Deel 1: Elektriciteit Hoofdstuk 1: Elektrische
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / 1. Opgave. Project 7 De thyristor toegepast. a) Maak de gegeven schakeling en onderzoek het principe van de fasesturing met Tic 106. b) Maak de gegeven schakeling die gebruik
Nadere informatie(Vossenjacht)Ontvanger voor MHz
(Vossenjacht)Ontvanger voor 144 145 MHz Door Henk van den Hof, PE1BVJ Voorwoord. Tijdens één van de vossenjachten van de NVRA ontstond de vraag of er geen ontvanger was met een regelbare ingangsgevoeligheid.
Nadere informatieCondensator = passieve component bestaande uit 2 geleiders (platen) met een isolator/diëlectricum(lucht, papier, kunststoffen) tussen.
H2: Condensatoren: Opbouw: Condensator = passieve component bestaande uit 2 geleiders (platen) met een isolator/diëlectricum(lucht, papier, kunststoffen) tussen. Opgelet: 2 draden/printbanen kort naast
Nadere informatieT: +31 (0) E:
Stroomsterktemeter serie F400 Stroomsterktemeter tot 1000 A / TRMS meting / stroommeting / harmonische analyzer / Inrush meting / 10000 digit display met verlichting / Bluetooth / data geheugen De stroomsterktemeter
Nadere informatieSerie 40 - Insteek-/printrelais A
0_SNL -09-04 : Pagina.4.4.4 Serie - Insteek-/printrelais 8-0 - A - Spoelen voor AC, DC, DC sensitief 00 mw of bistabiel met één spoel - Veilige scheiding volgens VDE 00 / EN 078 en VDE 0700 / EN 0 tussen
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPD50R650CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieD d U DN 180 LW 110 G S1
D d U T R HZ S2 DN 180 W 110 TH HT S1 nhoud d D HT 1* 2* 3* 4* 5* 300 600 700 1334 55 220 280 548 720 755 1179 1060 1226 1,45 8,4 103 1472 530 500 600 700 1961 55 220 280 695 965 1040 1264 1690 1853 1,9
Nadere informatiePNEUMATISCHE CILINDERS ENKEL- EN DUBBELWERKEND Ø mm
Serie 3 Type: CCAS MEDIUM PNEUMATISCHE CILINDERS ENKEL EN DUBBELWERKEND mm met of zonder magnetische eindschakelaar Volgens ISO CETOPAFNOR NFE 0 ISOCLAIR COMPACT : lucht of neutraal gas, gefilterd, gesmeerd
Nadere informatieB01 B02 B03 B04 B05 B06 B07 B08 B09 B10 B11 B12 B13 B14 B15 B16 B17 B18 B19 BR* BR+
B01 B02 B03 B04 B05 B06 B07 B08 B09 B10 B11 B12 B13 B14 B15 B16 B17 B18 B19 BR* BR+ LH 262 BK JV 151 FA KR 069 MU ET 160 TK VK 010 MT JE 139 EN AW 228 WI KT 247 BI BT 172 FA PW 261 BK HF 119 EN NF 107
Nadere informatieHeatermeter 4.0 assemblage Document rev. V1.10 Datum: Door Camiel Berkers
Bouwverslag HeaterMeter 4.0 project Door: Camiel berkers a.k.a Camiel de barbecueman 203+ Camiel Berkers P a g e Stuklijst: aantal waarde Referentie op de print 0R (voorschakel weerstand backlight LCD)
Nadere informatieTurbo 7 MHz voor MSX2-computers
Turbo 7 MHz voor MSX2-computers Waarschuwing: Het belangrijkste onderdeel in de computer is de printplaat. Onderdelen kunnen vervangen worden, echter de printplaat niet. Probeer de onderdelen niet uit
Nadere informatieOnderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 425-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatieOnderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Nadere informatieFORD RANGER 203410_Ranger_2015.5_COVER_V2.indd 1-3 14/08/2014 16:39:54
FORD RANGER 2 3 4 5 1.8 m3 6 7 8 9 10 11 3 7 8 5 1 2 4 6 9 10 12 13 3500kg 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29 30 [Nm] 475 450 425 400 375 [kw] [PS] 180 245 165 224 150 204 135 184 31 350 325
Nadere informatieFORD RANGER Ranger_2013.5_Cover_V2.indd 1 20/12/2012 14:57
FORD RANGER 1 2 3 4 5 1.8 m3 6 7 8 9 10 11 1 4 6 10 9 7 2 8 5 3 12 13 3500kg 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 28 29 29 30 [Nm] 475 450 425 400 375 350 325 [kw] [PS] 180 245 165 224 150 204
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R1K4CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPx5R1K4CE DataSheet Rev.. Final PowerManagement&Multimarket 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPD5R1K4CE,IPU5R1K4CE
Nadere informatieAC/DC TRMS STROOMTANG TURBOTECH Model TT3368
C/DC TRMS STROOMTNG TURBOTECH Model TT3368 DC C Cã ãf m V k M Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen
Nadere informatieModule 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen.
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen. 1. Opgaven. - Zoek de bijzonderste principe schema s en datagegevens. Meet de opstellingen
Nadere informatieLaagFrequent Functie Generator voor sinus, driehoek en blok golf met digitale frequentie weergave met 4 cijfers en automatische bereik instelling
LFrequent Functie Genertor voor sinus, riehoek en blok olf met iitle frequentie weerve met cijfers en utomtische bereik instellin Genertor: Exr IC X0 voor sinl opwekkin. frequentie bereiken: 0 Hz 0 00
Nadere informatieTechnische specificatie Tower Airvising Postbus AC Beverwijk 3/27/2014
SmartAir 8-KR SW50 R Unit type 8-KR Ondersteunings frame Verstelbaar Luchthoeveelheid (m3/h) 9900 8950 Isolatie dikte (mm) 50 Gewicht (kg) 2641 Externe druk (Pa) 300 300 Inspectie zijde Rechts Configuratie
Nadere informatie+31 (0) E:
Thermo-hygrometer PCE-EM 886 inclusief geluidssensor, lichtsensor, temperatuursensor, vochtigheidssensor, externe temperatuursensor (K-type) en digitale auto-ranging multimeter / groot LCD-beeldscherm
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPX50R2K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPX5R2KCE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieAfmetingen (H x B x D): Bruto-oppervlak: Lichtingangs-/openingsoppervlak: Absorberoppervlak: Gewicht (droog): Volledig volume van collector:
hfgh Afmetingen (H x B x D): 2100 x 1230 x 105 mm 1070 x 2100 x 105 mm Bruto-oppervlak: 2,25 m² 2,25 m² Lichtingangs-/openingsoppervlak: 2,02 m² 2,02 m² Absorberoppervlak: 2,02 m² 2,02 m² Gewicht (droog):
Nadere informatieD e u r e n g e m a a k t o m m o o i t e z i j n
D e u r e n g e m a a k t o m m o o i t e z i j n M a e s t r o, m e e s t e r i n h e t m a k e n v a n k w a l i t e i t s d e u r e n, a f g e s t e m d o p u w s m a a k e n i n t e r i e u r. S t
Nadere informatieTechnische Fiche Luchtgordijnen (met verwarming)
Clima Construct luchttechniek groothandel - fabrikant Technische Fiche (met verwarming) Clima Construct heeft een uitgebreid assortiment luchtgordijnen: zowel met als zonder verwarming. Verwarming op elektriciteit
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 800VCoolMOS CEPowerTransistor IPx80R1K4CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx8R1K4CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket IPD8R1K4CE,IPU8R1K4CE 1Description CoolMOS CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
Nadere informatieDVM830L -- Digitale Mini Multimeter
1. Beschrijving -- Digitale Mini Multimeter De is een compacte multimeter met een 3 ½ digit LCD. Met dit apparaat kunt u AC en DC spanning, DC stroom, weerstanden, diodes en transistors meten. Het apparaat
Nadere informatieThe Pointer Handleiding The Pointer bouwpakket. Een project van de Service Kring JOTA-JOTI.
Handleiding The Pointer bouwpakket. Een project van de. Pagina 1 van 12 Bevalt de The Pointer? Heb je leuke ideeën? Wil je laten zien wat je met jouw Pointer hebt gedaan? Laat het ons weten! Lees op de
Nadere informatie