FP75R07N2E4_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
|
|
- Cecilia Hermans
- 4 jaren geleden
- Aantal bezoeken:
Transcriptie
1 e EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = 65 IC nom = 75 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Motorantriebe MotorDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf65 Increasedblockingvoltagecapabilityto65 Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom CircuitCurrent TrenchIGBT4 TrenchIGBT4 Tvjop= C Tvjop= C CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate Kupferbodenplatte CopperBasePlate PressFITerbindungstechnik PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E83335) 1
2 e IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TC = 7 C, Tvj max = 175 C IC nom 75 tp = 1 ms ICRM TC = 25 C, Tvj max = 175 C Ptot 25 W GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 75, GE = 15 IC = 75, GE = 15 IC = 75, GE = 15 CE sat 1,55 1,7 1,75 1,95 IC = 1,2 m, CE = GE, GEth 5, 5,8 6,5 GE = QG,75 µc RGint, Ω f = 1 MHz,, CE = 25, GE = Cies 4, nf f = 1 MHz,, CE = 25, GE = Cres,145 nf CE = 65, GE =, ICES 1, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC = 75, CE = GE = ±15 RGon = 5,1 Ω IC = 75, CE = GE = ±15 RGon = 5,1 Ω IC = 75, CE = GE = ±15 RGoff = 5,1 Ω IC = 75, CE = GE = ±15 RGoff = 5,1 Ω IC = 75, CE =, LS = nh GE = ±15, di/dt = 4 / () RGon = 5,1 Ω IC = 75, CE =, LS = nh GE = ±15, du/dt = 4 / () RGoff = 5,1 Ω GE 15, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 1, tp 1, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,25,25,25,2,2,2,21,24,25,6,7,7,385,55,66 3,35 3, 4,2 3 2 proigbt/perigbt RthJC, K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,325 K/W Tvj op -4 C 2
3 e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF 75 tp = 1 ms IFRM R =, tp = 1 ms, R =, tp = 1 ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 75, GE = IF = 75, GE = IF = 75, GE = IF = 75, - dif/dt = 4 / (Tvj= C) R = GE = -15 IF = 75, - dif/dt = 4 / (Tvj= C) R = GE = -15 IF = 75, - dif/dt = 4 / (Tvj= C) R = GE = -15 I²t F IRM Qr Erec ,55 1,5 1, , 6, 7,5,95 1,5 1,85 ²s ²s 1,95 prodiode/perdiode RthJC,95 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) µc µc µc RthCH,515 K/W Tvj op -4 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 1 TC = 8 C IFRMSM 8 TC = 8 C IRMSM 1 tp = 1 ms, tp = 1 ms, tp = 1 ms, tp = 1 ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t , IF = 5 F 1, ²s ²s, R = 1 IR 1, m prodiode/perdiode RthJC,65 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,355 K/W Tvj op -4 C 3
4 e IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TC = 8 C, Tvj max = 175 C TC = 25 C, Tvj max = 175 C IC nom tp = 1 ms ICRM 1 TC = 25 C, Tvj max = 175 C Ptot 1 W IC 5 7 GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 5, GE = 15 IC = 5, GE = 15 IC = 5, GE = 15 CE sat 1,55 1,7 1,75 1,95 IC =,8 m, CE = GE, GEth 5, 5,8 6,5 GE = QG,5 µc RGint, Ω f = 1 MHz,, CE = 25, GE = Cies 3,1 nf f = 1 MHz,, CE = 25, GE = Cres,95 nf CE = 65, GE =, ICES 1, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC = 5, CE = GE = ±15 RGon = 8,2 Ω IC = 5, CE = GE = ±15 RGon = 8,2 Ω IC = 5, CE = GE = ±15 RGoff = 8,2 Ω IC = 5, CE = GE = ±15 RGoff = 8,2 Ω IC = 5, CE =, LS = nh GE = ±15, di/dt = 28 / () RGon = 8,2 Ω IC = 5, CE =, LS = nh GE = ±15, du/dt = 42 / () RGoff = 8,2 Ω GE 15, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 1, tp 1, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,23,23,23,15,18,2,18,2,25,55,6,6,33,375,475 1,8 2,25 2, proigbt/perigbt RthJC,8 K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,435 K/W Tvj op -4 C 4
5 e Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF 2 tp = 1 ms IFRM 4 R =, tp = 1 ms, R =, tp = 1 ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, - dif/dt = 18 / (Tvj= C) R = IF = 2, - dif/dt = 18 / (Tvj= C) R = IF = 2, - dif/dt = 18 / (Tvj= C) R = I²t F IRM Qr Erec 49, 45, 1, 1,55 1,5 34, 38, 4, 1, 1,75 2,2,21,37,47 ²s ²s 2, prodiode/perdiode RthJC 2, K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) µc µc µc RthCH 1,25 K/W Tvj op -4 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr1 DeviationofR1 erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5, kω TC = 1 C, R1 = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/8(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/1(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K 5
6 e Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. ISOL 2,5 k Basisisolierung(Schutzklasse1,EN6114) basicinsulation(class1,iec6114) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal promodul/permodule λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) TC=25 C,proSchalter/perswitch Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Cu l2o3 1, 7,5 CTI > 2 min. typ. max. mm mm RthCH,2 K/W LsCE 35 nh RCC'+EE' R'+CC' Tvj max Tvj op , 3, 175 mω C C C C Tstg C M 3, 6, Nm G 18 g 6
7 e usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=15 usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj= C GE = 19 GE = 17 GE = 15 GE = 13 GE = 11 GE = IC [] 75 IC [] ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, CE [],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±15,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,CE= , 6,5 6, 5,5 Eon, Eoff, Eon, Tvj = Eoff, IC [] E [] 5, 4,5 4, 3,5 3, 2,5 2, GE [] 1,5 1,,5, IC [] 7
8 e SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±15,IC=75,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 6, 5,5 5, Eon, Eoff, Eon, Eoff, 1 ZthJC : IGBT 4,5 4, E [] 3,5 3, 2,5 ZthJC [K/W],1 2, 1,5 1,,5, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,36,1 2,198,2 3,192,5 4,174,1,1,1,1,1 1 1 t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(CE) GE=±15,RGoff=5.1Ω,Tvj= C 165 IC, Modul IC, Chip 135 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IC [] IF [] CE [],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, F [] 8
9 e SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=5.1Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=75,CE= 3, Erec, Erec, 3, Erec, Erec, 2,5 2,5 2, 2, E [] 1,5 E [] 1,5 1, 1,,5,5, IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) IF=f(F) 1 ZthJC : Diode ZthJC [K/W],1 IF [] 5 4 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,57,1 2,3135,2 3,4,5 4,2755,1,1,1,1,1 1 1 t [s] 2 1,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, F [] 9
10 e usgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=15 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) IC [] 5 IF [] ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, CE [],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 F [] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 Rtyp 1 R[Ω] TC [ C] 1
11 e Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines I n f in e o n 11
12 12 e Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
F3L300R12MT4_B23. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC J CES = 1 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
Nadere informatieFP25R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Nadere informatieFP10R06W1E3_B11. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC. VCES = 600V IC nom = 10A / ICRM = 20A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandpressfit/ntc CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L150R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFD800R17HP4-K_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
/ CES = 7 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Chopper-nwendungen Chopperpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Traktionsumrichter TractionDrives Windgeneratoren WindTurbines
Nadere informatieF3L400R12PT4_B26. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/ntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen
Nadere informatieFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieDF75R12W1H4F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
J VCES = 12V IC nom = 75 / ICRM = 15 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
Nadere informatieF3L75R12W1H3_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e / J CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiederinduktivesDesign
Nadere informatieFF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / CES = IC nom = 9A / ICRM = A TypischeAnwendungen Motorantriebe
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Voorsterweg 31 8316 PR Marknesse Nederland Locatie waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor LF 0 0 DC/LF Grootheden LF 1 0 Gelijkspanning 0 µv - 10 µv 0,2 µv Meten 10 µv - 2
Nadere informatievan Ministerie van Defensie, Marinebedrijf Standaarden Laboratorium van de Techniek Groep Defensie Speciale Producten
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Nieuwe Haven, Noord Voorlandweg, Gebouw Kaiser, Kamer D-1-016 1781 ZZ Den Helder Nederland LF 0 0 LF 1 0 LF 1 1 DC/LF Grootheden
Nadere informatieb 1 m/s c 2,5 m d 76 m 44 a 4 m/s 45 a 0,5 m/s b 20 m/s c 1,1 m
Uitkomsten Hoofdstuk 1 1 C 4 200 flitsen per seconde 5 100 flitsen per seconde 7 c 80 cm d 0,034 s 2 a 17 cm b 43 cm/s 4 a 1500 m/s b 25 m/s c 10,4 m/s d 5,4 10 3 km/h 90 km/h 37,6 km/h 5 a 0,8 s 6 a 1
Nadere informatieLocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid
LocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico. Al deze
Nadere informatieStroom berekening IGBT power stage:
Huebner laat de keuze van de power stage onderdelen open. Geselecteerde onderdelen: IXYS IGBT IXGN200N60B3 5 tot 40 khz fast punch through, low Vce(sat), 300A/600V. IXYS FRED DSEI2x101-06A fast soft recovery
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Locatie Afkorting Hoofdlocatie Brouwerstraat 24 2984 AR Ridderkerk Nederland
Nadere informatie1 2 3 4 5 A B 6 7 8 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000
Nadere informatie1 10 2 3 4 5 7 9 A B 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 170 150 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM [Nm] 475 450 425 400 375 350
Nadere informatie1
1 2 3 4 5 A B 7 9 [Nm] 370 350 330 310 290 270 250 230 210 190 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 80 109 70 95 60 82 50 68 170 150 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 70 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 RPM
Nadere informatie1 2 3 4 5 7 A B 9 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000 2500
Nadere informatie1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 [kw] [PS] 110 150 350 330 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Verslag Transistoren. Spanningsversterking. De transistor is slechts een stroomversterker. Die tot spanningsversterker kan worden uitgebreid. Hiervoor plaatsen we een weerstand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R190CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieRepetitie Elektronica (versie A)
Naam: Klas: Repetitie Elektronica (versie A) Opgave 1 In de schakeling hiernaast stelt de stippellijn een spanningsbron voor. De spanningsbron wordt belast met weerstand R L. In het diagram naast de schakeling
Nadere informatie+31 (0) E:
Waterbestendige multi-meter METRAHIT OUTDOOR water- en stofbestendig / meerdere functies / reële effectieve waarde (TRMS) / type bescherming IP65 / automatische terminal vergrendeling / meet temperatuur
Nadere informatieVoor afmetingen waarvoor geen bewerkingsprijs staat vermeld gelden de prijzen op aanvraag
19 x 13 x 19 x 1,5 mm 0,57 314,00 324,00 344,00 364,00 20 x 15 x 20 x 1,5 mm 0,61 314,00 324,00 344,00 364,00 25 x 15 x 25x 2 mm 0,96 227,00 237,00 257,00 277,00 10 x 20 x 10 x 2 mm 0,56 227,00 237,00
Nadere informatieFluke 170-serie True-RMS digitale multimeters
TECHNISCHE GEGEVENS Fluke 170-serie True-RMS digitale multimeters De DMM's van de Fluke-serie 170 zijn de industriële instrument voor het lokaliseren van storingen in elektrische en elektronische systemen
Nadere informatieOplossing oefeningen. Deel 1: Elektriciteit
Oplossing oefeningen Afhankelijk van je oplossingsmethode en het al dan niet afronden van tussenresultaten, kun je een lichtjes verschillende uitkomst verkrijgen. Deel 1: Elektriciteit Hoofdstuk 1: Elektrische
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 17,5 mm breed, modulaire bouwvorm
Nadere informatieDilos/Fulos - Lastscheidingsschakelaars
Dilos/Fulos Lastscheidingsschakelaars A Aansluitschema s Dilos/Fulos Aansluitschema s Fulos Plus I Index/overzicht van het hoofdstuk Installatieschema s Dilos L Lastscheidingsschakelaars Dilos DIN rail
Nadere informatie- Indicatie batterij status - Het LCD scherm van de multimeter heeft achtergrondverlichting en staafdiagram - Multimeter met intern geheugen (32.
Handheld Multimeter PCE-DM 22 Handmatige TRUE RMS data logger multimeter met meerdere meetfuncties, geheugen / data logger, RS-232 interface en software standaarden: IEC 1010 1000 V CAT III Deze handmatige
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6 650VCoolMOS E6PowerTransistor lps65r600e6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6 lps65r600e6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDC+AC TRMS WATTMETER-STROOMTANG TURBOTECH TT3348
DC+C TRMS WTTMETER-STROOMTNG TURBOTECH TT3348 Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen voor verdere
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 650VCoolMOS CEPowerTransistor IPS65R1K5CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieZelio Count - XBK. b XBKH b XBKT b XBKP b XBKP b LCD RC b / LCD RC b LCD RC b LCD RC b...
Zelio Count! Zelio Count - XBK b XBKH......................................... b XBKT............................................. b XBKP........................................ 6 b XBKP6...................................
Nadere informatieModule 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen.
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen. 1. Opgaven. - Zoek de bijzonderste principe schema s en datagegevens. Meet de opstellingen
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 800VCoolMOS CEPowerTransistor IPA80R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 600VCoolMOS C7PowerTransistor IPW60R099C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieSerie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A
Serie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A Modulaire solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 240 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A Met of zonder nuldoorgangsfunctie 17,5 mm breed AC-uitgangscircuit
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPW6R23P6,IPP6R23P6,IPA6R23P6
Nadere informatieInhoudsopgave LED dobbelsteen
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Dobbelstenen...3 Project: Dobbelsteen met LED s...3 Inleiding...3 Werking...3 Berekeningen...4 Frequentie...4 Bits...4 LED voorschakelweerstanden...4 Schema...4 Printplaat...5
Nadere informatieDVM830L -- Digitale Mini Multimeter
1. Beschrijving -- Digitale Mini Multimeter De is een compacte multimeter met een 3 ½ digit LCD. Met dit apparaat kunt u AC en DC spanning, DC stroom, weerstanden, diodes en transistors meten. Het apparaat
Nadere informatieElektronische basisschakelingen: Oplossingen 1
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen Aki Sarafianos (aki.sarafianos@esat.kuleuven.be) ESAT 9.22 November 4, 202 Oefening op spannindelers, wetten van Kirchoff en equivalente schakelingen R v R
Nadere informatieHeatermeter 4.0 assemblage Document rev. V1.10 Datum: Door Camiel Berkers
Bouwverslag HeaterMeter 4.0 project Door: Camiel berkers a.k.a Camiel de barbecueman 203+ Camiel Berkers P a g e Stuklijst: aantal waarde Referentie op de print 0R (voorschakel weerstand backlight LCD)
Nadere informatietemperatuur-meetversterker 1-kanalig IM34-11EX-CI/K60
1 / 5 Hans Turck GmbH & Co.KG ñ D-45472 Mülheim an der Ruhr ñ Witzlebenstraße 7 ñ Tel. 0208 4952-0 ñ Fax 0208 4952-264 ñ more@turck.com ñ www.turck.com Met de e temperatuur-meetversterker van het type
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPA60R280P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R099P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R99P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R065C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R380P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R38P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPP6R38P6,IPA6R38P6,IPD6R38P6
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx60R1K0CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R950CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie1507/1503. Insulation Testers. Technical Data. Features and benefits:
1507/1503 Insulation Testers Technical Data The Fluke 1507 and 1503 Insulation Testers are compact, rugged, reliable, and easy to use. With their multiple test voltages, they are ideal for many troubleshooting,
Nadere informatieAC/DC TRMS STROOMTANG TURBOTECH Model TT3368
C/DC TRMS STROOMTNG TURBOTECH Model TT3368 DC C Cã ãf m V k M Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen
Nadere informatieT: +31 (0) E:
Stroomsterktemeter serie F400 Stroomsterktemeter tot 1000 A / TRMS meting / stroommeting / harmonische analyzer / Inrush meting / 10000 digit display met verlichting / Bluetooth / data geheugen De stroomsterktemeter
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket IPW6R23P6,IPB6R23P6,IPP6R23P6, 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 065-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPD65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R400CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx6R4CE DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPB65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6600V 600VCoolMOS E6PowerTransistor IPx60R190E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6600V IPx60R190E6 DataSheet Rev.2.2 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPD50R650CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieCircuits and Signal Processing ET2405-d2
Circuits and Signal Processing ET2405-d2 3 e college Arie van Staveren en Wouter A. Serdijn ET2045-d2 / 3 e college 1 Leerdoelen Na afloop van dit college kan je: oorzaken aangeven van variaties in elementwaarden;
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPL60R650P6S. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieISOLATIEMETER. Turbotech TT5503 VEILIGHEIDSINFORMATIE
ISOLATIEMETER Turbotech TT5503 50 0 0 0 0-ADJ EILIGHEIDSINFORMATIE Lees aandachtig onderstaande veiligheidsinformatie alvorens de meter te bedienen of te herstellen. Om schade aan het toestel te voorkomen,
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Smaragdstraat 7 7554 TD ngelo OV Nederland Locatie Afkorting Smaragdstraat 7 7554 TD ngelo OV Nederland LF 0 0 Meetgebied
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 77.01.x.xxx.8050 77.01.x.xxx.8051
Nadere informatie+31 (0) E:
Thermo-hygrometer PCE-EM 886 inclusief geluidssensor, lichtsensor, temperatuursensor, vochtigheidssensor, externe temperatuursensor (K-type) en digitale auto-ranging multimeter / groot LCD-beeldscherm
Nadere informatie1
1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 [kw][ps] 110 150 350 330 310 100 136 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500
Nadere informatieOpgave 2 Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat.
Uitwerkingen 1 A Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat. Een ideale spanningsbron levert bij elke stroomsterkte dezelfde spanning.
Nadere informatieFlashing Eye Robot! Knipperlicht Circuit! Clubjesmiddag 18 Mar Adam Dorrell
NL Flashing Eye Robot! Knipperlicht Circuit! Clubjesmiddag 18 Mar 2014 Adam Dorrell Agenda Maak een "Flitsende Robot" We maken gebruik van elementaire elektronische schakeling jullie leren hoe het werkt
Nadere informatieLocobuffer Handleiding
Locobuffer Handleiding HDM09 Disclaimer van Aansprakelijkheid: Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico.
Nadere informatieSerie 40 - Insteek-/printrelais A
0_SNL -09-04 : Pagina.4.4.4 Serie - Insteek-/printrelais 8-0 - A - Spoelen voor AC, DC, DC sensitief 00 mw of bistabiel met één spoel - Veilige scheiding volgens VDE 00 / EN 078 en VDE 0700 / EN 0 tussen
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 425-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatieDVM345DI -- DIGITALE MULTIMETER
-- DIGITALE MULTIMETER 1. IEIDING Proficiat met uw aankoop! Met de kunt u AC en DC spanning, AC en DC stroom, weerstanden, capaciteit en temperatuur meten. Het toestel kan worden aangesloten op een computer
Nadere informatie23 cm 5 Watt klasse A eindtrap. 23cm PA. PAØVRE feb
1 23cm PA PAØVRE 2 23 cm 5 Watt klasse A eindtrap Herman van Rees, PA0VRE Met de transistors BFQ 68 and BFQ 136 (ON921) kun je een medium power versterker met een versterking van ongeveer 15 db en een
Nadere informatieElektronische basisschakelingen Oefenzitting 3.
Elektronische basisschakelingen Oefenzitting 3 Pieter.Gijsenbergh@esat.kuleuven.be Doelstellingen Frequentiegedrag van ideale opampschakelingen in feedback Invloed van reële opamps op dit frequentiegedrag
Nadere informatieDagindeling. De LED als component. Toepassingen. Inhoudsopgave. Voor- en nadelen LED verlichting. Overige toepassingen 4/02/2015
De LED als component Module 1 Woensdag 14 januari 2015 13u00: 13u15: 14u15: 15u00: 15u15: 16u00: Dagindeling Ontvangst en kennismaking Theoretisch deel Experimenteren Pauze Experimenteren Einde Hands on
Nadere informatieLaagFrequent Functie Generator voor sinus, driehoek en blok golf met digitale frequentie weergave met 4 cijfers en automatische bereik instelling
LFrequent Functie Genertor voor sinus, riehoek en blok olf met iitle frequentie weerve met cijfers en utomtische bereik instellin Genertor: Exr IC X0 voor sinl opwekkin. frequentie bereiken: 0 Hz 0 00
Nadere informatieUitwerking examen e tijdvak
Uitwerking examen 2016 2 e tijdvak Let op: het is noodzakelijk om de formule op te schrijven en duidelijk aan te geven welke grootheid er wordt uitgerekend!! Vraag 1. lager, kleiner 1 Het scorepunt alleen
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R500CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx50R500CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieHet rijbewijs tot 19-01-2013 en na 19-01-2013
Het rijbewijs tot 19-01-2013 en na 19-01-2013 Oude situatie (tot 19-01-2013) Nieuwe situatie (na 19-01-2013) AM (nationale categorie) Voertuig: bromfiets, snorfiets (AM2) of, vierwielig brommobiel van
Nadere informatieFluke 170 Series True-rms Digital Multimeters Detailed Specifications
Fluke 170 Series True-rms Digital Multimeters Detailed Specifications For all detailed specifications Accuracy is specified for 1 year after calibration, at operating temperatures of 18 C to 28 C, with
Nadere informatieSerie 7E - Energiemeter. Gegevens PTB 1
Gegevens Energiemeter - eenfasig 7E.13 5(32) - breedte 1 module 7E.16 10(65) - breedte 2 modules Voldoet aan de normen E 053-21 en pre 50470 Voldoet aan de verplichte Europese richtlijn 2004/22/EG voor
Nadere informatieDVM1090 DIGITALE MULTIMETER
1. Inleiding & veiligheidsvoorschriften DIGITALE MULTIMETER Dank u voor uw aankoop. Deze digitale multimeter is uitgerust met een grote LCD, een data hold functie en achtergrondverlichting. Het toestel
Nadere informatieTechnische specificatie Tower Airvising Postbus AC Beverwijk 3/27/2014
SmartAir 8-KR SW50 R Unit type 8-KR Ondersteunings frame Verstelbaar Luchthoeveelheid (m3/h) 9900 8950 Isolatie dikte (mm) 50 Gewicht (kg) 2641 Externe druk (Pa) 300 300 Inspectie zijde Rechts Configuratie
Nadere informatieSolar testers. Nieaf-Smitt heeft speciaal voor zonnepanelen meetapparatuur ontworpen welke voorzien in de vraag naar PV kwaliteitscontroles
Solar testers Nieaf-Smitt heeft speciaal voor zonnepanelen meetapparatuur ontworpen welke voorzien in de vraag naar PV kwaliteitscontroles Het pakket bestaat uit een PV-installatietester, een zonnestraling
Nadere informatieProject DTMF ATV Repeater besturing voor PI6HLM
Project DTMF ATV Repeater besturing voor PI6HLM Hoe de nieuwe DTMF besturing is ontstaan: enige tijd geleden vroeg ik aan enkele leden of er niet een stukje hardware was waar de DTMF codelijst instond
Nadere informatie+31 (0)900 1200 003 E:
Hygro-thermometer PCE-EM 886 inclusief geluidssensor, lichtsensor, temperatuursensor, vochtigheidssensor, externe temperatuursensor (K-type) en digitale auto-ranging multimeter / groot LCD-beeldscherm
Nadere informatieFUSERBLOC Schakelaars-scheiders met zekeringen voor industriële zekeringen tot 1250 A
fuser_539_a_1_cat fuser_532_a_1_cat fuser_548_a_1_cat 25 tot 32 A 630 tot 1250 A 32 tot 400 A Functie De zijn meerpolige handbediende schakelaars-scheiders met zekeringen. Ze zorgen voor het in- en uitschakelen
Nadere informatiei?_ I-I_ -t- sondering mast 70
l ; 11 ALCEAEEN PAL(NLAN PER MAST / "" : r _ " ll"t / f k,,, 4tp (tioifo, _,,_, ;; 1J_ lfll 1 l " f DETAil PAAl NA;Cnt:PAA _,14,4 1 + 8nm CROUTSCHL, Q), DOORSNEDE PAALKoP Conusweerstand in MP a Wrijvongsgetat
Nadere informatiePI2205. Combi-druksensor. 1 alfanumeriek display 4-digit 2 status-led's 3 programmeerknop. Made in Germany
1 alfanumeriek display 4-digit 2 status-led's 3 programmeerknop Made in Germany Toepassingsgebied Applicatie hygiënische omgeving Media pasteuze media en vaste stoffen; vloeibare en gasvormige media Mediumtemperatuur
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / 1. Opgave. Project 7 De thyristor toegepast. a) Maak de gegeven schakeling en onderzoek het principe van de fasesturing met Tic 106. b) Maak de gegeven schakeling die gebruik
Nadere informatieE6B2 INCREMENTELE IMPULSGEVERS. Verkrijgbare uitvoeringen. Standaard incrementele impulsgever. Accessoires (niet inbegrepen)
INCREMENTEE IMPUSGEVERS Standaard incrementele impulsgever Breed spanningsbereik van 5 tot 24 VDC (open collector uitvoering). Resolutie tot 2.000 pulsen/omw. in behuizing met een buitendiameter van 40
Nadere informatie(Vossenjacht)Ontvanger voor MHz
(Vossenjacht)Ontvanger voor 144 145 MHz Door Henk van den Hof, PE1BVJ Voorwoord. Tijdens één van de vossenjachten van de NVRA ontstond de vraag of er geen ontvanger was met een regelbare ingangsgevoeligheid.
Nadere informatie