DF75R12W1H4F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules

Transcriptie

1 J VCES = 12V IC nom = 75 / ICRM = 15 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures l2o3 Substrat mit kleinem thermischen l2o3substratewithlowthermalresistance Widerstand IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor KompaktesDesign Compactdesign PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E83335) 1

2 Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V TC = 8 C IFRMSM 5 TC = 8 C IRMSM 6 tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t , IF = 5 VF,8 V ²s ²s, VR = 12 V IR, m prodiode/perdiode RthJC,4,45 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,4 K/W Tvj op C VerpolschutzDiode/Inverse-polarityprotectiondiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V TC = 8 C IFRMSM 5 TC = 8 C IRMSM 6 tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t , IF = VF,95 V ²s ²s, VR = 12 V IR, m prodiode/perdiode RthJC,8,9 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,8 K/W Tvj op C 2

3 VerpolschutzDiodeB/Inverse-polarityprotectiondiodeB HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V TC = 8 C IFRMSM TC = 8 C IRMSM 6 tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t , IF = 2 VF 1, V ²s ²s, VR = 12 V IR, m prodiode/perdiode RthJC 1,2 1,35 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 1,15 K/W Tvj op C 3

4 IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 12 V TC = 8 C, Tvj max = 175 C TC = 25 C, Tvj max = 175 C IC nom tp = 1 ms ICRM 5 TC = 25 C, Tvj max = 175 C Ptot 2 W VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 25, VGE = 15 V IC = 25, VGE = 15 V IC VCE sat , 2,45 2,65 V V IC = 1, m, VCE = VGE, VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V V QG 11, µc RGint, Ω f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies 2, nf f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres,64 nf VCE = 12 V, VGE = V, ICES 1, m VCE = V, VGE = 2 V, IGES n IC = 25, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = Ω IC = 25, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = Ω IC = 25, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = Ω IC = 25, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = Ω IC = 25, VCE = 6 V, LS = 4 nh VGE = ±15 V, di/dt = 115 / () RGon = Ω IC = 25, VCE = 6 V, LS = 4 nh VGE = ±15 V, du/dt = 45 V/ () RGoff = Ω VGE 15 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf Eon Eoff,38,38,38,14,18,2,,34,36,6,12,14,52,65,67 1,15 1,7 1,9 proigbt/perigbt RthJC,6,65 K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) ISC 15 RthCH,5 K/W Tvj op C 4

5 Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V IF 15 tp = 1 ms IFRM VR = V, tp = ms, I²t 2,5 ²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15, VGE = V IF = 15, VGE = V IF = 15, - dif/dt = 115 / (Tvj=15 C) VR = 6 V IRM VF 1,6 2,2 5, 5, 1,95 V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15, - dif/dt = 115 / (Tvj=15 C) VR = 6 V Qr,15,25 µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF = 15, - dif/dt = 115 / (Tvj=15 C) VR = 6 V Erec,3,3 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode RthJC 1,5 1,2 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,8 K/W Tvj op C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5, kω TC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/8(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ 3433 K 5

6 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kv Basisisolierung(Schutzklasse1,EN6114) basicinsulation(class1,iec6114) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 CTI > 2 11,5 6,3, 5, min. typ. max. mm mm LsCE nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 5, mω Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj max Tvj op Tstg C G 24 g C C C C Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 rms per connector pin. Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (pplication Note Storage of Products Supplied by Infineon Technologies) Designed for climate conditions without condensation or precipitation 6

7 DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofbypass-diode(typical) IF=f(VF) DurchlasskennliniederVerpolschutzDiode(typisch) forwardcharacteristicofinverse-polarityprotectiondiode (typical) IF=f(VF) IF [] 5 IF [] 4 2 2,,2,4,6,8 1, 1,2 VF [V],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 VF [V] DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeB(typisch) forwardcharacteristicofinverse-polarityprotectiondiodeb (typical) IF=f(VF) usgangskennlinieigbt-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt-chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V IF [] 2 IC [] ,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 VF [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VCE [V] 7

8 usgangskennlinienfeldigbt-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt-chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=15 C SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesigbt-chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=Ω,RGoff=Ω,VCE=6V VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 4, 3,5 3, Eon, Eoff, Eon, Eoff, 2,5 IC [] 25 E [] 2, 2 1,5 15 1, 5,5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V], IC [V] SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesigbt-chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25,VCE=6V TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceigbt-chopper ZthJH=f(t) 4, 3,5 Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJH : IGBT 3, 2,5 1 E [] 2, ZthJH [K/W] 1,5,1 1,,5, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,48,5 2,9,5 3,419,5 4,524,2,1,1,1,1 1 t [s] 8

9 SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt-chopper(rbso) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=Ω,Tvj=15 C DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode-chopper(typical) IF=f(VF) 6 IC, Modul IC, Chip IC [] IF [] t [s],,5 1, 1,5 2, 2,5 VF [V] SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesdiode-chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=6V SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesdiode-chopper(typical) Erec=f(RG) IF=15,VCE=6V,6 Erec,,6 Erec,,4,4 E [] E [],2,2, IF [], RG [Ω] 9

10 TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedancediode-chopper ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJH : Diode Rtyp ZthJH [K/W] 1 R[Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,23,5 2,397,5 3,721,5 4,53,2,1,1,1,1 1 t [s] TC [ C]

11 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon 11

12 12 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.