F3L400R12PT4_B26. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules

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1 EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/ntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications US-Systeme UPSSystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses NiedrigesCEsat LowCEsat TrenchIGBT TrenchIGBT Tvjop=5 C Tvjop=5 C CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate KompaktesDesign Compactdesign PressFITerbindungstechnik PressFITContactTechnology Standardgehäuse StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E83335)

2 IGBT,T/T/IGBT,T/T HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = C, Tvj max = 75 C TC = 5 C, Tvj max = 75 C IC nom IC 6 tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot 5 W GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 Tvj = 5 C CE sat,75,5,,5 IC = 5, m, CE = GE, GEth 5, 5,8 6, GE = QG 3,3 µc RGint,8 Ω f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 5, nf f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,35 nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 65 / (Tvj = 5 C) RGon =,5 Ω Tvj = 5 C IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = 3 / (Tvj = 5 C) RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C GE 5, CC = CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,,,3,,,,,8,5,7,, 8,75 3, 3,5 8, 6, 8,5 9 proigbt/perigbt RthJC,7 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,6 K/W Tvj op - 5 C

3 Diode,D/D3/Diode,D/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C I²t F IRM Qr Erec 67 65,55,5, ,5 6, 8,5 3, 6,35 7,5 ²s ²s,95 prodiode/perdiode RthJC, K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH,77 K/W Tvj op - 5 C 3

4 IGBT,T/T3/IGBT,T/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TC = C, Tvj max = 75 C TC = 5 C, Tvj max = 75 C IC nom IC 36 tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot 8 W GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 Tvj = 5 C CE sat,75,,,5 IC =, m, CE = GE, GEth,9 5,8 6,5 GE = QG 3, µc RGint, Ω f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 8,5 nf f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,57 nf CE = 65, GE =, ICES, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 33 / (Tvj = 5 C) RGon =,5 Ω Tvj = 5 C IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = 335 / (Tvj = 5 C) RGoff =,5 Ω Tvj = 5 C GE 5, CC = 36 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,8,,,9,,,35,37,38,8,, 6,3 9,,, 3,5,5 proigbt/perigbt RthJC,7 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,7 K/W Tvj op - 5 C

5 Diode,D/D/Diode,D/D HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C I²t 55 5 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 IRM Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 Qr Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 Erec Tvj = 5 C F,,85, , 56, 65, 8,7 6,5 9, ²s ²s,3 prodiode/perdiode RthJC,6 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH,56 K/W Tvj op - 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 93 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/ K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 3 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 333 K 5

6 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL,5 k Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo3 5,,5 CTI >, 7, min. typ. max. mm mm LsCE 38 nh TC=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',75 mω Tstg - 5 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm M 3, - 6, Nm G g 6

7 usgangskennlinieigbt,t/t(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,t/t(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C 7 6 Tvj = 5 C 7 6 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = IC [] IC [] ,,5,,5,,5 3, 3,5 CE [],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T/T(typisch) transfercharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(GE) CE= SchaltverlusteIGBT,T/T(typisch) switchinglossesigbt,t/t(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE= Tvj = 5 C 7 6 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C 5 IC [] E [] GE [] IC [] 7

8 SchaltverlusteIGBT,T/T(typisch) switchinglossesigbt,t/t(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE=3 TransienterWärmewiderstandIGBT,T/T transientthermalimpedanceigbt,t/t ZthJC=f(t) 7 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C, ZthJC : IGBT 6 5 E [] ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,8,8,73,8 3,565,399,36,69,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,T/T(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,t/t(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C DurchlasskennliniederDiode,D/D3(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d/d3(typical) IF=f(F) 9 IC, Modul IC, Chip 7 Tvj = 5 C IC [] 5 IF [] CE [],,,,6,8,,,,6,8,,, F [] 8

9 SchaltverlusteDiode,D/D3(typisch) switchinglossesdiode,d/d3(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE=3 SchaltverlusteDiode,D/D3(typisch) switchinglossesdiode,d/d3(typical) Erec=f(RG) IF=,CE=3 9 Erec, Erec, Tvj = 5 C 9 Erec, Erec, Tvj = 5 C E [] 5 E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,D/D3 transientthermalimpedancediode,d/d3 ZthJC=f(t) usgangskennlinieigbt,t/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(CE) GE=5 ZthJC : Diode 7 Tvj = 5 C 6 56 ZthJC [K/W], IC [] 3 i: ri[k/w]: τi[s]:,66,3,356,85 3,3,,3,96,,,, t [s] 6,,5,,5,,5 3, 3,5, CE [] 9

10 usgangskennlinienfeldigbt,t/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T/T3(typisch) transfercharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(GE) CE= 7 6 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = Tvj = 5 C 5 5 IC [] IC [] 3 3,,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] GE [] SchaltverlusteIGBT,T/T3(typisch) switchinglossesigbt,t/t3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE=3 SchaltverlusteIGBT,T/T3(typisch) switchinglossesigbt,t/t3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE=3 9 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C 9 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C E [] 5 E [] IC [] RG [Ω]

11 TransienterWärmewiderstandIGBT,T/T3 transientthermalimpedanceigbt,t/t3 ZthJC=f(t) SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,T/T3(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,t/t3(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C ZthJC : IGBT 9 IC, Modul IC, Chip 7, 6 ZthJC [K/W] IC [] 5, 3 i: ri[k/w]: τi[s]:,9,3,3,3 3,338,739,837 3,58,,,, t [s] CE [] DurchlasskennliniederDiode,D/D(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d/d(typical) IF=f(F) SchaltverlusteDiode,D/D(typisch) switchinglossesdiode,d/d(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE=3 IF [] Tvj = 5 C,,,,6,8,,,,6,8,,,,6 F [] E [] Erec, Erec, Tvj = 5 C IF []

12 SchaltverlusteDiode,D/D(typisch) switchinglossesdiode,d/d(typical) Erec=f(RG) IF=,CE=3 TransienterWärmewiderstandDiode,D/D transientthermalimpedancediode,d/d ZthJC=f(t) Erec, Erec, Tvj = 5 C ZthJC : Diode 8 6 E [] ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,6,8,956,336 3,5,6873,68 3,989,,,, t [s] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] 6 6 TC [ C]

13 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines 3

14 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.