F3L150R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern

Transcriptie

1 EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Solarnwendungen Solarpplications US-Systeme UPSSystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf65 Increasedblockingvoltagecapabilityto65 NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses NiedrigesCEsat LowCEsat MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures lo3 Substrat mit kleinem thermischen lo3substratewithlowthermalresistance Widerstand KompaktesDesign Compactdesign PressFITerbindungstechnik PressFITContactTechnology Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E83335)

2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TC = 5 C, Tvj max = 75 C TC = 5 C, Tvj max = 75 C IC nom IC 5 5 tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot 335 W GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 Tvj = 5 C CE sat,5,,7, IC =, m, CE = GE, GEth,9 5,8 6,5 GE = QG, RGint, Ω f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 9, nf f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,85 nf CE = 65, GE =, ICES, m CE =, GE =, IGES n IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 3,3 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 3,3 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 3,3 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 3,3 Ω Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C IC = 5, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = / (Tvj = 5 C) RGon = 3,3 Ω Tvj = 5 C IC = 5, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = / (Tvj = 5 C) RGoff = 3,3 Ω Tvj = 5 C GE 5, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,85,,,,5,5,,33,3,9,3,,,75,95,5 5, 5, 75 proigbt/perigbt RthJC,,5 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,5 K/W Tvj op - 5 C

3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF 5 tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 5, GE = IF = 5, GE = IF = 5, GE = IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C I²t F IRM Qr Erec 7 5,55,5,5 8, 5 6,,5 3,5,,5 3, ²s ²s,95 prodiode/perdiode RthJC,55, K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,5 K/W Tvj op - 5 C 3

4 Diode,D5-D6/Diode,D5-D6 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF 5 tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 5, GE = IF = 5, GE = IF = 5, GE = Tvj = 5 C IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = IRM Tvj = 5 C IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = Qr Tvj = 5 C IF = 5, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = Erec Tvj = 5 C I²t F 5 5,55,5,5 8, 5 6,,5 3,5,,5 3, ²s ²s,95 prodiode/perdiode RthJC,5,55 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,5 K/W Tvj op - 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 93 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/ K R = R5 exp [B5/8(/T - /(98,5 K))] B5/8 3 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 333 K

5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL,5 k Basisisolierung(Schutzklasse,EN) basicinsulation(class,iec) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo3 CTI >,5 6,3, 5, min. typ. max. mm mm LsCE 5 nh TC=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE', mω Tstg - 5 C F - 8 N G 39 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 5 effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 5 rms per connector pin. 5

6 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C 7 Tvj = 5 C 7 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = IC [] 5 IC [] 5,,,8,,6,,,8 CE [],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE= SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,CE= 7 Tvj = 5 C 9 Eon, Eoff, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Tvj = 5 C IC [] 8 5 E [] GE [] IC [] 6

7 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=5,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 8 6 Eon, Eoff, Eoff, Tvj = 5 C Eoff, Tvj = 5 C ZthJH : IGBT E [] 8 ZthJH [K/W] 6, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,8,5,5,5 3,69,5,5,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=3.3Ω,Tvj=5 C 3 IC, Modul IC, Chip 7 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) 7 Tvj = 5 C IC [] 8 5 IF [] CE [],,,,6,8,,,,6,8, F [] 7

8 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=5,CE= 5,,5 Erec, Erec, Tvj = 5 C, 3,5 Erec, Erec, Tvj = 5 C, 3,5 3, 3,,5 E [],5 E [],,,5,5,,,5,5, IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJ3=f(t) DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d5-d6(typical) IF=f(F) ZthJH : Diode 7 Tvj = 5 C ZthJH [K/W], IF [] 8 5 i: ri[k/w]: τi[s]:,9,5,3,5 3,8,5,8,,,,, t [s],,,,6,8,,,,6,8, F [] 8

9 SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesdiode,d5-d6(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3Ω,CE= SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesdiode,d5-d6(typical) Erec=f(RG) IF=5,CE= 5,,5 Erec, Erec, Tvj = 5 C, 3,5 Erec, Erec, Tvj = 5 C, 3,5 3, 3,,5 E [],5 E [],,,5,5,,,5,5, IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6 transientthermalimpedancediode,d5-d6 ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJH : Diode Rtyp ZthJH [K/W] R[Ω], i: ri[k/w]: τi[s]:,3,5,99,5 3,366,5,3,,,,, t [s] 8 TC [ C] 9

10 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n

11 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.