F3L300R12PT4_B26. EconoPACK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPACK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC

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1 EconoPCK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC / Š» = 2 I ÒÓÑ = / I ç = Typischenwendungen Typicalpplications Solar nwendungen Solar pplications US-Systeme UPS Systems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses Niedriges ŠÙÈÚ Low ŠÙÈÚ Trench IGBT 4 Trench IGBT 4 TÝÎ ÓÔ = 5 C TÝÎ ÓÔ = 5 C ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures Isolierte Bodenplatte Isolated Base Plate Kompaktes Design Compact design PressFIT erbindungstechnik PressFIT Contact Technology Standardgehäuse Standard Housing ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit materialno:3668 ULapproved(E83335)

2 IGBTT/T4/IGBTT/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 2 TC = C, Tvj = 75 C TC = 25 C, Tvj = 75 C IC nom IC 46 tp = ms ICRM TC = 25 C, Tvj = 75 C Ptot 65 W GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 Tvj = 5 C CE sat,75 2,5 2, 2,5 IC = 2, m, CE = GE, GEth 5,2 5,8 6,4 GE = QG 2,5 µc RGint 2,5 Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 8,5 nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres, nf CE = 2, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES n IC =, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 2 / (Tvj=5 C) RGon =,5 Ω IC =, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = 2 / (Tvj=5 C) RGoff =,5 Ω GE 5, CC = 8 CEmax = CES -LsCE di/dt Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C tp, tp, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,2,23,24,9,,,38,46,48,7,, 7,8,5 2,5 3, 9, 2,5 7 4 pro IGBT / per IGBT RthJC,9 K/W pro IGBT / per IGBT λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) RthCH,49 K/W 2

3 DiodeD2/D3/DiodeD2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C I²t F IRM Qr Erec 67 65,45,35, ,7 29, 34, 2,4 6,2 7, ²s ²s,85 pro Diode / per diode RthJC,22 K/W pro Diode / per diode λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) µc µc µc RthCH,77 K/W 3

4 IGBTT2/T3/IGBTT2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TC = 52 C, Tvj = 75 C TC = 25 C, Tvj = 75 C IC nom IC 336 tp = ms ICRM TC = 25 C, Tvj = 75 C Ptot 88 W GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 Tvj = 5 C CE sat,55,7,75,95 IC = 4,8 m, CE = GE, GEth 4,9 5,8 6,5 GE = QG 3,2 µc RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 8,5 nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres,57 nf CE = 65, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES n IC =, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 35 / (Tvj=5 C) RGon =,5 Ω IC =, CE =, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = 335 / (Tvj=5 C) RGoff =,5 Ω GE 5, CC = 36 CEmax = CES -LsCE di/dt Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C Tvj = 5 C tp, tp, Tvj = 5 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC,8,,,7,8,8,35,38,39,9,2,2 4,5 6,8 7,95 4,5 9, 2, 8 4 pro IGBT / per IGBT RthJC,7 K/W pro IGBT / per IGBT λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) RthCH,74 K/W 4

5 DiodeD/D4/DiodeD/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 2 IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, Tvj = 5 C I²t 55 5 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 35 / (Tvj=5 C) R = IRM Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 35 / (Tvj=5 C) R = Qr Tvj = 5 C IF =, - dif/dt = 35 / (Tvj=5 C) R = Erec Tvj = 5 C F,65,65, ,5 57, 66, 8,95 7, 9,5 ²s ²s 2,5 pro Diode / per diode RthJC,6 K/W pro Diode / per diode λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) µc µc µc RthCH,56 K/W NTC-Widerstand/NTC-thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5, kω TC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 34 K R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ 3433 K 5

6 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL 2,5 k Cu Basisisolierung (Schutzklasse, EN64) basic insulation (class, IEC 64) Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal l2o3 25, 2,5 CTI > 2, 7, min. typ. max. mm mm LsCE 38 nh TC = 25 C, pro Schalter / per switch RCC'+EE',75 mω Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj max 75 C Tvj op -4 5 C Tstg C Schraube M5 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M5 - mounting according to valid application note Schraube M6 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M6 - mounting according to valid application note M 3, - 6, Nm M 3, - 6, Nm G 4 g 6

7 usgangskennlinieigbtt/t4(typisch) outputcharacteristicigbtt/t4(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbtt/t4(typisch) outputcharacteristicigbtt/t4(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C 5 4 Tvj = 5 C GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = 9 36 IC [] IC [] ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBTT/T4(typisch) transfercharacteristicigbtt/t4(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBTT/T4(typisch) switchinglossesigbtt/t4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE= Tvj = 5 C 5 4 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C IC [] E [] GE [] IC [] 7

8 SchaltverlusteIGBTT/T4(typisch) switchinglossesigbtt/t4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE= TransienterWärmewiderstandIGBTT/T4 transientthermalimpedanceigbtt/t4 ZthJC=f(t) 5 4 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C ZthJC : IGBT E [] 3 2 ZthJC [K/W],, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,949,9 2,747,336 3,857,6659 4,369 4,5299,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBTT/T4 (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbtt/t4(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C 7 IC, Modul IC, Chip 5 4 DurchlasskennliniederDiodeD2/D3(typisch) forwardcharacteristicofdioded2/d3(typical) IF=f(F) Tvj = 5 C IC [] IF [] CE [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, F [] 8

9 SchaltverlusteDiodeD2/D3(typisch) switchinglossesdioded2/d3(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE= SchaltverlusteDiodeD2/D3(typisch) switchinglossesdioded2/d3(typical) Erec=f(RG) IF=,CE= 9 Erec, Erec, Tvj = 5 C 9 8 Erec, Erec, Tvj = 5 C E [] E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiodeD2/D3 transientthermalimpedancedioded2/d3 ZthJC=f(t) usgangskennlinieigbtt2/t3(typisch) outputcharacteristicigbtt2/t3(typical) IC=f(CE) GE=5 ZthJC : Diode 54 Tvj = 5 C ZthJC [K/W], IC [] i: ri[k/w]: τi[s]:,266,3 2,356,85 3,434,44 4,2234,946,,,, t [s] 2 6,,5,,5 2, 2,5 3, CE [] 9

10 usgangskennlinienfeldigbtt2/t3(typisch) outputcharacteristicigbtt2/t3(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C ÜbertragungscharakteristikIGBTT2/T3(typisch) transfercharacteristicigbtt2/t3(typical) IC=f(GE) CE=2 5 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = 9 5 Tvj = 5 C 4 4 IC [] IC [] 2 2,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, CE [] GE [] SchaltverlusteIGBTT2/T3(typisch) switchinglossesigbtt2/t3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE= SchaltverlusteIGBTT2/T3(typisch) switchinglossesigbtt2/t3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE= 5 4 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C 6 5 Eon, Eon, Tvj = 5 C Eoff, Eoff, Tvj = 5 C 4 3 E [] E [] IC [] RG [Ω]

11 TransienterWärmewiderstandIGBTT2/T3 transientthermalimpedanceigbtt2/t3 ZthJC=f(t) SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBTT2/T3 (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbtt2/t3(rbso) IC=f(CE) ZthJC : IGBT 7 IC, Modul IC, Chip, 5 ZthJC [K/W] IC [] 4, 2 i: ri[k/w]: τi[s]:,92,3 2,232,34 3,2338,739 4,837 3,2528,,,, t [s] CE [] DurchlasskennliniederDiodeD/D4(typisch) forwardcharacteristicofdioded/d4(typical) IF=f(F) SchaltverlusteDiodeD/D4(typisch) switchinglossesdioded/d4(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE= 5 Tvj = 5 C 3 25 Erec, Erec, Tvj = 5 C 4 2 IF [] E [] 5 2 5,,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 F [] IF []

12 SchaltverlusteDiodeD/D4(typisch) switchinglossesdioded/d4(typical) Erec=f(RG) IF=,CE= TransienterWärmewiderstandDiodeD/D4 transientthermalimpedancedioded/d4 ZthJC=f(t) 25 Erec, Erec, Tvj = 5 C ZthJC : Diode 2 E [] 5 ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,245,8 2,969,338 3,223,685 4,68 3,292,,,, t [s] NTC-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TC [ C] 2

13 Schaltplan/circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/packageoutlines 3

14 4 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.Die BeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhrenwendungsowiedieBeurteilungderollständigkeitderbereitgestellten ProduktdatenfürdiesenwendungobliegtIhnenbzw.Ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistung übernehmen.einesolchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenen Bestimmungen.GarantienjeglicherrtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.Diengaben indengültigennwendungs-undmontagehinweisendesmodulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenund insbesondereeinespezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsie zuständigenertriebsbüroinerbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplication Notesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragen zudenindiesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigen ertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoder lebenserhaltendennwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical departmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproduct datawithrespecttosuchapplication. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyis grantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindforthe productanditscharacteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecific applicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com,sales&contact). Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionplease contactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,please notify.pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey, andthatwemaymakedeliverydependedontherealization ofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.