FP10R06W1E3_B11. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC. VCES = 600V IC nom = 10A / ICRM = 20A
|
|
- Nienke Kuipersё
- 4 jaren geleden
- Aantal bezoeken:
Transcriptie
1 EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandpressfit/ntc CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Hilfsumrichter uxiliaryinverters Klimaanlagen irconditioning Motorantriebe MotorDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses NiedrigesCEsat LowCEsat TrenchIGBT3 TrenchIGBT3 CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures lo3 Substrat mit kleinem thermischen lo3substratewithlowthermalresistance Widerstand KompaktesDesign Compactdesign PressFITerbindungstechnik PressFITContactTechnology Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps ModuleLabelCode BarcodeCode DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E3335) 1
2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = C, Tvj max = 175 C TC = 5 C, Tvj max = 175 C IC nom tp = 1 ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 175 C Ptot, W GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 15 IC =, GE = 15 IC =, GE = 15 IC CE sat 1,55 1,7 1,, IC =,3 m, CE = GE, GEth,9 5,,5 GE = QG, µc RGint, Ω f = 1 MHz,, CE = 5, GE = Cies,55 nf f = 1 MHz,, CE = 5, GE = Cres,17 nf CE =, GE =, ICES 1, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±15 RGon = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGon = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGoff = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGoff = 7 Ω IC =, CE = 3, LS = nh GE = ±15, di/dt = 15 / () RGon = 7 Ω IC =, CE = 3, LS = nh GE = ±15, du/dt = / () RGoff = 7 Ω GE 15, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, td on tr td off tf Eon Eoff,1,1,1,9,13,1,,1,15,5,13,135,1,,,,3,3 proigbt/perigbt RthJC,, K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) ISC 7 5 RthCH 1,35 K/W Tvj op - 15 C
3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = 1 ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 GE = -15 IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 GE = -15 IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 GE = -15 I²t F IRM Qr Erec 1,5 9,5 1, 1,55 1,5, 19, 1,,5,5 1,,11,, ²s ²s, prodiode/perdiode RthJC,9 3, K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) µc µc µc RthCH 1, K/W Tvj op - 15 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM TC = C IFRMSM 3 TC = C IRMSM 3 tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t , IF = F, ²s ²s, R = IR, m prodiode/perdiode RthJC 1, 1,35 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 1,15 K/W Tvj op C 3
4 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = C, Tvj max = 175 C TC = 5 C, Tvj max = 175 C IC nom tp = 1 ms ICRM TC = 5 C, Tvj max = 175 C Ptot, W GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 15 IC =, GE = 15 IC =, GE = 15 IC CE sat 1,55 1,7 1,, IC =,3 m, CE = GE, GEth,9 5,,5 GE = QG, µc RGint, Ω f = 1 MHz,, CE = 5, GE = Cies,55 nf f = 1 MHz,, CE = 5, GE = Cres,17 nf CE =, GE =, ICES 1, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±15 RGon = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGon = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGoff = 7 Ω IC =, CE = 3 GE = ±15 RGoff = 7 Ω IC =, CE = 3, LS = t.b.d. nh GE = ±15 RGon = 7 Ω IC =, CE = 3, LS = t.b.d. nh GE = ±15 RGoff = 7 Ω GE 15, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, td on tr td off tf Eon Eoff,1,1,1,9,13,1,,1,15,5,13,135,1,,,,3,3 proigbt/perigbt RthJC,, K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) ISC 7 5 RthCH 1,35 K/W Tvj op - 15 C
5 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = 1 ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 IRM IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 Qr IF =, - dif/dt = 15 / (Tvj=15 C) R = 3 Erec I²t F 1,5 9,5 1, 1,55 1,5, 19, 1,,5,5 1,,11,, ²s ²s, prodiode/perdiode RthJC,9 3, K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) µc µc µc RthCH 1, K/W Tvj op - 15 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 93 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(1/T - 1/(9,15 K))] B5/ K R = R5 exp [B5/(1/T - 1/(9,15 K))] B5/ 311 K R = R5 exp [B5/(1/T - 1/(9,15 K))] B5/ 333 K 5
6 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. ISOL,5 k Basisisolierung(Schutzklasse1,EN11) basicinsulation(class1,iec11) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo3 CTI > 11,5,3, 5, min. typ. max. mm mm LsCE 3 nh TC=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' R'+CC',, Tstg - 15 C F - 5 N G g mω Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 5 effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 5 rms per connector pin.
7 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=15 usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=15 C GE = 19 GE = 17 GE = 15 GE = 13 GE = 11 GE = IC [] IC [],,3,,9 1, 1,5 1,,1,,7 3, CE [],,5 1, 1,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE= SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±15,RGon=7Ω,RGoff=7Ω,CE=3 1,, Eon, Eoff, Eon, Eoff, 1 IC [] E [],, GE [], 5 15 IC [] 7
8 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±15,IC=,CE=3 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 1,, Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJH : IGBT, E [], ZthJH [K/W] 1,, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,5,5,7,5 3 1,31,5 1,3,,1,1,1,1 1 t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(CE) GE=±15,RGoff=7Ω,Tvj=15 C IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) 1 IC [] 1 1 IF [] 1 CE [],,,,, 1, 1, 1, 1, 1,,, F []
9 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=7Ω,CE=3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,CE=3,5 Erec, Erec,,5 Erec, Erec,,,,3,3 E [] E [],,,1,1, 1 1 IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) IF=f(F) ZthJH : Diode 15 ZthJH [K/W] 1 IF [] 5 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,37,5 1,15,5 3 1,35,5,9,,1,1,1,1 1 t [s],,,,, 1, 1, F [] 9
10 usgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=15 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) IC [] IF [],,5 1, 1,5,,5 3, CE [],,,,, 1, 1, 1, 1, 1,,, F [] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] 1 1 TC [ C]
11 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon 11
12 1 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
FP100R06KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nf
EconoPIM 3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewithfasttrench/fiedstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
Nadere informatieFP75R06KE3. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
Nadere informatieF3L150R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L300R12MT4_B23. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC J CES = 1 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
Nadere informatieFP75R07N2E4_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
e EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = 65 IC nom = 75 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFP75R12KT4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPIM 3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen
Nadere informatieFP25R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Nadere informatieFD800R17HP4-K_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
/ CES = 7 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Chopper-nwendungen Chopperpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Traktionsumrichter TractionDrives Windgeneratoren WindTurbines
Nadere informatieDF650R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc / CES = IC nom = 65 / ICRM = Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Chopper-nwendungen Hochleistungsumrichter Windgeneratoren Typicalpplications 3-Level-pplications
Nadere informatieFP100R07N3E4. VCES = 650V IC nom = 100A / ICRM = 200A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC / CES = 65 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
Nadere informatieDF75R12W1H4F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
J VCES = 12V IC nom = 75 / ICRM = 15 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
Nadere informatieFP50R12KT4G. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPIM 3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L400R12PT4_B26. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/ntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen
Nadere informatieFP25R12KT4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieF3L75R12W1H3_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e / J CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiederinduktivesDesign
Nadere informatieFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
Nadere informatieFF650R17IE4V. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePCK 2ModulundNTC PrimePCK 2moduleandNTC / CES = 7 IC nom = 65 / ICRM = Typischenwendungen Hybrid-Nutzfahrzeuge Typicalpplications Commercialgricultureehicles ElektrischeEigenschaften ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
Nadere informatieDF900R12IP4D. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePACK ModulmitTrench/FeldstoppIGBT,größererEmitterControlledDiode PrimePACK modulewithtrench/fieldstopigbt,enlargedemittercontrolleddiode / CES = IC nom = 9A / ICRM = A TypischeAnwendungen Chopper-Anwendungen
Nadere informatieF3L300R12PT4_B26. EconoPACK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPACK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
EconoPCK 4Modulmit"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPCK 4modulewith"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC / Š» = 2 I ÒÓÑ = / I ç = Typischenwendungen Typicalpplications Solar nwendungen
Nadere informatieFF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / CES = IC nom = 9A / ICRM = A TypischeAnwendungen Motorantriebe
Nadere informatieFS400R12A2T4. Trench IGBT 4 Trench IGBT 4 TÝÎ ÓÔ = 150 C TÝÎ ÓÔ = 150 C. 2,5 kv AC 1min Isolationsfestigkeit 2.5 kv AC 1min Insulation
HybridPCK 2Modulmitrench/FeldstoppIGB4undEmitterControlled4DiodeundNC HybridPCK 2modulewithrench/FieldstopIGB4andEmitterControlled4diodeandNC V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = 8 ypischenwendungen ypicalpplications
Nadere informatieLocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid
LocoBooster HDM05 Disclaimer van Aansprakelijkheid Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico. Al deze
Nadere informatievan Ministerie van Defensie, Marinebedrijf Standaarden Laboratorium van de Techniek Groep Defensie Speciale Producten
Locatie(s) waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor Nieuwe Haven, Noord Voorlandweg, Gebouw Kaiser, Kamer D-1-016 1781 ZZ Den Helder Nederland LF 0 0 LF 1 0 LF 1 1 DC/LF Grootheden
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 600VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ60R040C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieDeze bijlage is geldig van: tot Vervangt bijlage d.d.:
Voorsterweg 31 8316 PR Marknesse Nederland Locatie waar activiteiten onder accreditatie worden uitgevoerd Hoofdkantoor LF 0 0 DC/LF Grootheden LF 1 0 Gelijkspanning 0 µv - 10 µv 0,2 µv Meten 10 µv - 2
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6 650VCoolMOS E6PowerTransistor lps65r600e6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6 lps65r600e6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 800VCoolMOS CEPowerTransistor IPA80R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 600VCoolMOS C7PowerTransistor IPW60R099C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 650VCoolMOS CEPowerTransistor IPS65R1K5CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPW6R23P6,IPP6R23P6,IPA6R23P6
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R190CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie650VCoolMOS CFDAPowerTransistor IPB65R660CFDA,IPP65R660CFDA. 1Description
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CFDAAutomotive IPx65R66CFDA DataSheet Rev.2.1 Final Automotive 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieStroom berekening IGBT power stage:
Huebner laat de keuze van de power stage onderdelen open. Geselecteerde onderdelen: IXYS IGBT IXGN200N60B3 5 tot 40 khz fast punch through, low Vce(sat), 300A/600V. IXYS FRED DSEI2x101-06A fast soft recovery
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R099P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R99P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieBuffervaten Storage tanks Pufferspeicher
Door het gebruik van buffervaten levert de kachel een betere prestatie, zeker in combinatie met hout -en pelletkachels en solar. Buffervat is in verschillende varianten en maten verkrijgbaar zonder / met
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R380P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPx6R38P6 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 6VCoolMOS P6PowerTransistor IPP6R38P6,IPA6R38P6,IPD6R38P6
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPA50R950CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPx60R230P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 IPx6R23P6 DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket IPW6R23P6,IPB6R23P6,IPP6R23P6, 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS E6600V 600VCoolMOS E6PowerTransistor IPx60R190E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS E6600V IPx60R190E6 DataSheet Rev.2.2 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R500CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx50R500CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieInhoudsopgave LED dobbelsteen
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Dobbelstenen...3 Project: Dobbelsteen met LED s...3 Inleiding...3 Werking...3 Berekeningen...4 Frequentie...4 Bits...4 LED voorschakelweerstanden...4 Schema...4 Printplaat...5
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CFD2650VThinpak 650VCoolMOS CFD2PowerTransistor IPL65R165CFD.
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CFD2650VThinpak DataSheet Rev.2.0 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieCircuits and Signal Processing ET2405-d2
Circuits and Signal Processing ET2405-d2 3 e college Arie van Staveren en Wouter A. Serdijn ET2045-d2 / 3 e college 1 Leerdoelen Na afloop van dit college kan je: oorzaken aangeven van variaties in elementwaarden;
Nadere informatieFluke 170-serie True-RMS digitale multimeters
TECHNISCHE GEGEVENS Fluke 170-serie True-RMS digitale multimeters De DMM's van de Fluke-serie 170 zijn de industriële instrument voor het lokaliseren van storingen in elektrische en elektronische systemen
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS ThinkPAK8x8 650VCoolMOS E6PowerTransistor IPL65R660E6. DataSheet. Industrial&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS ThinkPAK8x8 DataSheet Rev.2.1 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CFD2650VThinpak 650VCoolMOS CFD2PowerTransistor IPL65R460CFD.
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CFD2650VThinpak DataSheet Rev.2.0 Final Industrial&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPA60R280P6. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R065C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieb 1 m/s c 2,5 m d 76 m 44 a 4 m/s 45 a 0,5 m/s b 20 m/s c 1,1 m
Uitkomsten Hoofdstuk 1 1 C 4 200 flitsen per seconde 5 100 flitsen per seconde 7 c 80 cm d 0,034 s 2 a 17 cm b 43 cm/s 4 a 1500 m/s b 25 m/s c 10,4 m/s d 5,4 10 3 km/h 90 km/h 37,6 km/h 5 a 0,8 s 6 a 1
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R1K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx60R1K0CE DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPP65R125C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPZ65R045C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieLocobuffer Handleiding
Locobuffer Handleiding HDM09 Disclaimer van Aansprakelijkheid: Het gebruik van alle items die kunnen worden gekocht en alle installatie-instructies die kunnen worden gevonden op deze site is op eigen risico.
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R070C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie23 cm 5 Watt klasse A eindtrap. 23cm PA. PAØVRE feb
1 23cm PA PAØVRE 2 23 cm 5 Watt klasse A eindtrap Herman van Rees, PA0VRE Met de transistors BFQ 68 and BFQ 136 (ON921) kun je een medium power versterker met een versterking van ongeveer 15 db en een
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPD65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPL65R230C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS C7 650VCoolMOS C7PowerTransistor IPB65R190C7. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS C7 DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 600VCoolMOS CEPowerTransistor IPx60R400CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPx6R4CE DataSheet Rev.2. Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS P6 600VCoolMOS P6PowerTransistor IPL60R650P6S. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS P6 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieRepetitie Elektronica (versie A)
Naam: Klas: Repetitie Elektronica (versie A) Opgave 1 In de schakeling hiernaast stelt de stippellijn een spanningsbron voor. De spanningsbron wordt belast met weerstand R L. In het diagram naast de schakeling
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPD50R650CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatie- Indicatie batterij status - Het LCD scherm van de multimeter heeft achtergrondverlichting en staafdiagram - Multimeter met intern geheugen (32.
Handheld Multimeter PCE-DM 22 Handmatige TRUE RMS data logger multimeter met meerdere meetfuncties, geheugen / data logger, RS-232 interface en software standaarden: IEC 1010 1000 V CAT III Deze handmatige
Nadere informatieTurbo 7 MHz voor MSX2-computers
Turbo 7 MHz voor MSX2-computers Waarschuwing: Het belangrijkste onderdeel in de computer is de printplaat. Onderdelen kunnen vervangen worden, echter de printplaat niet. Probeer de onderdelen niet uit
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Verslag Transistoren. Spanningsversterking. De transistor is slechts een stroomversterker. Die tot spanningsversterker kan worden uitgebreid. Hiervoor plaatsen we een weerstand
Nadere informatieSerie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Serie 77 - Solid state relais (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A SERIE 77 Solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 230 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A of directschakelend 17,5 mm breed, modulaire bouwvorm
Nadere informatieDilos/Fulos - Lastscheidingsschakelaars
Dilos/Fulos Lastscheidingsschakelaars A Aansluitschema s Dilos/Fulos Aansluitschema s Fulos Plus I Index/overzicht van het hoofdstuk Installatieschema s Dilos L Lastscheidingsschakelaars Dilos DIN rail
Nadere informatieDC+AC TRMS WATTMETER-STROOMTANG TURBOTECH TT3348
DC+C TRMS WTTMETER-STROOMTNG TURBOTECH TT3348 Veiligheid Internationale veiligheidssymbolen ls dit symbool naast een ander symbool of klem wordt weergegeven, moet men de handleiding raadplegen voor verdere
Nadere informatieDVM830L -- Digitale Mini Multimeter
1. Beschrijving -- Digitale Mini Multimeter De is een compacte multimeter met een 3 ½ digit LCD. Met dit apparaat kunt u AC en DC spanning, DC stroom, weerstanden, diodes en transistors meten. Het apparaat
Nadere informatieVak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / 1. Opgave. Project 7 De thyristor toegepast. a) Maak de gegeven schakeling en onderzoek het principe van de fasesturing met Tic 106. b) Maak de gegeven schakeling die gebruik
Nadere informatieTHL - Conisch plafondrooster. Halton THL. Conisch plafondrooster
Halton THL Conisch plafondrooster Horizontale of verticale luchttoevoer, zowel geschikt voor verwarmings- als voor koeltoepassingen Worppatroon en drukverlies kunnen worden ingesteld Verzonken plafondmontage,
Nadere informatieT: +31 (0) E:
Stroomsterktemeter serie F400 Stroomsterktemeter tot 1000 A / TRMS meting / stroommeting / harmonische analyzer / Inrush meting / 10000 digit display met verlichting / Bluetooth / data geheugen De stroomsterktemeter
Nadere informatieVoor afmetingen waarvoor geen bewerkingsprijs staat vermeld gelden de prijzen op aanvraag
19 x 13 x 19 x 1,5 mm 0,57 314,00 324,00 344,00 364,00 20 x 15 x 20 x 1,5 mm 0,61 314,00 324,00 344,00 364,00 25 x 15 x 25x 2 mm 0,96 227,00 237,00 257,00 277,00 10 x 20 x 10 x 2 mm 0,56 227,00 237,00
Nadere informatietemperatuur-meetversterker 1-kanalig IM34-11EX-CI/K60
1 / 5 Hans Turck GmbH & Co.KG ñ D-45472 Mülheim an der Ruhr ñ Witzlebenstraße 7 ñ Tel. 0208 4952-0 ñ Fax 0208 4952-264 ñ more@turck.com ñ www.turck.com Met de e temperatuur-meetversterker van het type
Nadere informatie+31 (0) E:
Waterbestendige multi-meter METRAHIT OUTDOOR water- en stofbestendig / meerdere functies / reële effectieve waarde (TRMS) / type bescherming IP65 / automatische terminal vergrendeling / meet temperatuur
Nadere informatieProject DTMF ATV Repeater besturing voor PI6HLM
Project DTMF ATV Repeater besturing voor PI6HLM Hoe de nieuwe DTMF besturing is ontstaan: enige tijd geleden vroeg ik aan enkele leden of er niet een stukje hardware was waar de DTMF codelijst instond
Nadere informatiePI2205. Combi-druksensor. 1 alfanumeriek display 4-digit 2 status-led's 3 programmeerknop. Made in Germany
1 alfanumeriek display 4-digit 2 status-led's 3 programmeerknop Made in Germany Toepassingsgebied Applicatie hygiënische omgeving Media pasteuze media en vaste stoffen; vloeibare en gasvormige media Mediumtemperatuur
Nadere informatieDe accreditatie werd uitgereikt aan/ L'accréditation est délivrée à/ The accreditation is granted to/ Die akkreditierung wurde erteilt für:
Bijlage bij accreditatie-certificaat Annexe au certificat d'accréditation Annex to the accreditation certificate Beilage zur Akkreditierungszertifikat 065-CAL EN ISO/IEC 17025:2005 Versie/Version/Fassung
Nadere informatieAntwoorden Natuurkunde Hoofdstuk 1
Antwoorden Natuurkunde Hoofdstuk 1 Antwoorden door een scholier 3703 woorden 23 maart 2011 5,3 69 keer eoordeeld Vak Methode Natuurkunde Banas Tekstoek Gecursiveerde tekst is een toelichting op het antwoord.
Nadere informatieelectro hydrosan h Y d r a u l i e K joysticks pagina 2 drukschakelaars / sensoren pagina 7
joysticks pagina drukschakelaars / sensoren pagina niveauschakelaars pagina hydrosan h Y d r a u l i e K hydrosan H Y D R A U L I E K joysticks 0 joysticks T + (0) - f + (0) - 0 Joystick pvres technische
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPx50R1K4CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPx5R1K4CE DataSheet Rev.. Final PowerManagement&Multimarket 5VCoolMOS CEPowerTransistor IPD5R1K4CE,IPU5R1K4CE
Nadere informatieSerie 7E - Energiemeter. Gegevens PTB 1
Gegevens Energiemeter - eenfasig 7E.13 5(32) - breedte 1 module 7E.16 10(65) - breedte 2 modules Voldoet aan de normen E 053-21 en pre 50470 Voldoet aan de verplichte Europese richtlijn 2004/22/EG voor
Nadere informatieZelio Count - XBK. b XBKH b XBKT b XBKP b XBKP b LCD RC b / LCD RC b LCD RC b LCD RC b...
Zelio Count! Zelio Count - XBK b XBKH......................................... b XBKT............................................. b XBKP........................................ 6 b XBKP6...................................
Nadere informatieSolar testers. Nieaf-Smitt heeft speciaal voor zonnepanelen meetapparatuur ontworpen welke voorzien in de vraag naar PV kwaliteitscontroles
Solar testers Nieaf-Smitt heeft speciaal voor zonnepanelen meetapparatuur ontworpen welke voorzien in de vraag naar PV kwaliteitscontroles Het pakket bestaat uit een PV-installatietester, een zonnestraling
Nadere informatieHet rijbewijs tot 19-01-2013 en na 19-01-2013
Het rijbewijs tot 19-01-2013 en na 19-01-2013 Oude situatie (tot 19-01-2013) Nieuwe situatie (na 19-01-2013) AM (nationale categorie) Voertuig: bromfiets, snorfiets (AM2) of, vierwielig brommobiel van
Nadere informatieHeatermeter 4.0 assemblage Document rev. V1.10 Datum: Door Camiel Berkers
Bouwverslag HeaterMeter 4.0 project Door: Camiel berkers a.k.a Camiel de barbecueman 203+ Camiel Berkers P a g e Stuklijst: aantal waarde Referentie op de print 0R (voorschakel weerstand backlight LCD)
Nadere informatiePIR DC-SWITCH. DC Passive infra-red Detector. Model No. PDS-10 GEBRUIKSAANWIJZING/INSTRUCTION MANUAL
PIR DC-SWITCH DC Passive infra-red Detector Model No. PDS-10 GEBRUIKSAANWIJZING/INSTRUCTION MANUAL Please read this manual before operating your DETECTOR PIR DC-Switch (PDS-10) De PDS-10 is een beweging
Nadere informatie+31 (0) E:
Thermo-hygrometer PCE-EM 886 inclusief geluidssensor, lichtsensor, temperatuursensor, vochtigheidssensor, externe temperatuursensor (K-type) en digitale auto-ranging multimeter / groot LCD-beeldscherm
Nadere informatieHandleiding decoder_matrix print
Inhoudsopgave ONDERDELENLIJST... 2 MONTAGE EN WERKING... 2 INLEIDING... 2 MONTAGE... 3 AANSLUITEN TOETSCONTACTEN/REGISTERSCHAKELAARS... 3 ADRESSERING DECODERSCHAKELING... 4 TENSLOTTE... 4 ELEKTRONISCH
Nadere informatieMOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor. CoolMOS CE 500VCoolMOS CEPowerTransistor IPX50R2K0CE. DataSheet. PowerManagement&Multimarket
MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS CE IPX5R2KCE DataSheet Rev.2.2 Final PowerManagement&Multimarket 1Description CoolMOS isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
Nadere informatieModule 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen.
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen. 1. Opgaven. - Zoek de bijzonderste principe schema s en datagegevens. Meet de opstellingen
Nadere informatie1. Testdata TA sensor met Ohmse belasting
1. Testdata TA12-100 sensor met Ohmse belasting Data van primaire meetkring met ohmse belasting Load (Ω) Mp1 (VC165) VTrms Mp2 (DVM98) ITrms Mp3 Vpp Mp3 VMax Mp3 VTrms Primaire Kring analyse Mp3 Vrms Mp1
Nadere informatieSerie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A
Serie 77 - Modulaire solid state relais (SSR) 5A Modulaire solid state relais (SSR) Uitgang: 5 A / 240 V AC Voor inschakelstromen tot 300 A Met of zonder nuldoorgangsfunctie 17,5 mm breed AC-uitgangscircuit
Nadere informatie