DF650R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules

Transcriptie

1 PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc / CES = IC nom = 65 / ICRM = Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Chopper-nwendungen Hochleistungsumrichter Windgeneratoren Typicalpplications 3-Level-pplications Chopperpplications HighPowerConverters WindTurbines ElektrischeEigenschaften ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop GroßeDC-Festigkeit HoheStromdichte NiedrigeSchaltverluste Tvjop=5 C NiedrigesCEsat ElectricalFeatures ExtendedOperationTemperatureTvjop HighDCStability HighCurrentDensity LowSwitchingLosses Tvjop=5 C LowCEsat MechanischeEigenschaften GehäusemitCTI> GroßeLuft-undKriechstrecken HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HoheLeistungsdichte Kupferbodenplatte Standardgehäuse MechanicalFeatures PackagewithCTI> HighCreepageandClearanceDistances HighPowerandThermalCyclingCapability HighPowerDensity CopperBasePlate StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)

2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage CES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = C, Tvj max = 75 C TC = 5 C, Tvj max = 75 C IC nom IC PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tp = ms ICRM Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot,5 kw Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 65, GE = 5 IC = 65, GE = 5 IC = 65, GE = 5 Tvj = 5 C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC =, m, CE = GE, Gateladung Gatecharge CE sat typ. max.,,35,5,5,8 GEth 5, 5,8 6, GE = QG 7, µc InternerGatewiderstand Internalgateresistor RGint,3 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 5, nf Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,7 nf Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent CE =, GE =, ICES 5, m Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent CE =, GE =, IGES n td on,55,6,6 tr,9,, td off,,5,3 tf,9,9,57 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 65, CE = GE = ±5 RGon =,8 Ω Tvj = 5 C nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload IC = 65, CE = GE = ±5 RGon =,8 Ω Tvj = 5 C bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 65, CE = GE = ±5 RGoff =,7 Ω Tvj = 5 C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 65, CE = GE = ±5 RGoff =,7 Ω Tvj = 5 C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 65, CE =, LS = 5 nh GE = ±5, di/dt = / (Tvj = 5 C) RGon =,8 Ω Tvj = 5 C Eon 5 3 bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse IC = 65, CE =, LS = 5 nh GE = ±5, du/dt = 3 / (Tvj = 5 C) RGoff =,7 Ω Tvj = 5 C Eoff 5 3 Kurzschlußverhalten SCdata GE 5, CC = CEmax = CES -LsCE di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proigbt/perigbt Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH, TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op - tp, Tvj = 5 C 36, K/kW K/kW 5 C

3 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tp = ms Grenzlastintegral I²t-value R =, tp = ms, RRM IF 65 IFRM I²t 7,5 k²s CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max.,85,95,95,5,35 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 65, GE = IF = 65, GE = IF = 65, GE = Tvj = 5 C F Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 65, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 65, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Qr µc µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF = 65, - dif/dt = / (Tvj=5 C) R = GE = -5 Tvj = 5 C Erec 76, 35 6 prodiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper prodiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 7, TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op - 5 min. typ. max. R5 5, kω R/R -5 5 % P5, mw Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 7,5 K/kW K/kW C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 5 C bweichungvonr DeviationofR TC = C, R = 93 Ω erlustleistung Powerdissipation TC = 5 C B-Wert B-value R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/ K B-Wert B-value R = R5 exp [B5/8(/T - /(98,5 K))] B5/8 3 K B-Wert B-value R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 333 K ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. 3

4 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 5 Hz, t = min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kriechstrecke Creepagedistance ISOL, k Cu lo3 Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 33, 33, mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 9, 9, mm ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > min. typ. max. LsCE 8 nh RCC'+EE',3 mω Tstg - 5 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm SchraubeM-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote,8 -, Nm M 8, - Nm Gewicht Weight G 85 g Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=5 C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque

5 usgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C Tvj = 5 C IC [] IC [],,5, GE = GE = 5 GE = GE = GE = 9 GE = 8,5, CE [],5 3, 3,5, ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(GE) CE=,,5,,5,,5 3, CE [] 3,5,,5 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesigbt,brake-chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.8Ω,RGoff=.7Ω,CE= 55 Tvj = 5 C Eon, Tvj = 5 C Eon, Eoff, Tvj = 5 C Eoff, 5 35 E [] IC [] GE [] 5 IC [] 5,

6 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesigbt,brake-chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=65,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceigbt,brake-chopper ZthJC=f(t) Eon, Tvj = 5 C Eon, Eoff, Tvj = 5 C Eoff, ZthJC : IGBT ZthJC [K/kW] E [] i: 3 ri[k/kw]:, 5,5 5,5 3,8 τi[s]:,8,3,5,6 6 8,,,, t [s] RG [Ω] SichererRückw.-rbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,brake-chopper (RBSO) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.7Ω,Tvj=5 C IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) Tvj = 5 C IF [] IC [] CE [] 6,,5,,5 F [],,5 3,

7 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesdiode,brake-chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=.8Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesdiode,brake-chopper(typical) Erec=f(RG) IF=65,CE= Erec, Tvj = 5 C Erec, Erec, Tvj = 5 C Erec, E [] E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedancediode,brake-chopper ZthJC=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/kW] i: 3 ri[k/kw]:, τi[s]:,8,3,5,6,,, t [s] TC [ C]

8 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines 8

9 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. 9