kursus ontwerptechniek haifgeleiderschakelingen

Transcriptie

1 Deel 3 VEVOLG BASISSCHAKELINGEN EN PAKTISCHE TOEPASSINGEN kursus ontwerptechniek haifgeleiderschakelingen UITWEKING VAN DE OPDACHTEN UIT DEEL Opdracht 3 Bij het ontwerpen van de versterkerschakeling werden drie voorwaarden gesteld. De overige gegevens die nodig zijn om de schakeling te dimensioneren werden aan het inzicht van de ontwerper overgelaten; er moet dus een keuze worden gemaakt. Zoals reeds in de opdracht werd aangegeven zijn er een aantal beperkende faktoren zoals de maksimale kollektorspanning (doorslagspanning) en de grenzen waartussen I~zich moet bevinden opdat UE niet te laag is. Vanzelfsprekend is het ondoenlijk om alle mogelijkheden hier te bespreken en De topwaarde van de maksimale uitgangsspanning is V zodat de kollektoremitterspanning V~groter moet zijn dan,3v + V,3V (V~min,3V, zie hoofdstuk, pag. 4). De minimale voedingsspanning moet dus gelijk ziin aan: Va~:V,~.- V~ - V,-, --,3-4,8 VoO. Om er zeker van te zijn dat aan alle gestelde eisen wordt voldaan verdient het aanbeveling om deze voedingsspanning iets hoger te kiezen, bijv. VB 6 Volt. Het dimensioneren van diverse onderdelen is nu erg eenvoudig: ~-~ ~ ~-.7 k (E - waarde) ma ma k V~ Vh. - V~.,7 V - V --~-~-~--~- ~ emitterweerstand. De spanningsruimte tussen en VB wordt dus in beslag genomen door de emitter- en de kollektorspanning. Voor een maksimale uitsturing geldt dan: a V,. mnke - V~ ~ V Hierbij is: V~mak, en V,. V, ~ Vi maks Vu ma~s/a zodat geldt: VI, mnks/a ~- mak, ~ VB ofwel: V~~Yunsaks ~ - 6, Volt. J IT 47 kt ing. hi // / ~ç-, kt C ~, if. daarom zal er binnen de gestelde grenzen een keuze worden gedaan die voor de meeste siliciumtransistoren toepasbaar is: le ma min ~ ~ -~- V~- V~rnnl,s Valt. Volt. De versterking moet minimaal bedragen zodat de spanning over de kollektorweerstand minstens gelijk moet zijn aan: -, Valt. C ~ - ~if. VI Opdracht 4 Voor een stabiele versterking moet gelden dat e ~ /S zodat Ve v~ VUIA. Bij een versterkingsfaktor A staat / van de uitgangsspanning over de en: Ve ~ rnskn, V De waarden van de versterkende weerstanden zijn nu eenvoudig te bepalen: e, ma, kû kt~ Vbe + Ve,9 V 39 kd VB Vbe Ve 3, V Ïö:-Ï- / ~ ms,, ina 7 k De ingangsimpedantie is gelijk aan: 4

2 ~ e // // 3 kt VEVOLG BASISSCHAKELING A ~~ zodat: cl lmpedantietransformator of emittervolger IN Opmerking 6 nf (E waarde 8 nf) ) Verschillende reakties van lezers duiden erop dat er enigszins verwarring bestaat over het wisselstroomvervangschema. Men moet hierbij goed bedenken dat er over een voedingsbron of batterij geen wisselspanning kan staan omdat de impedantie of inwendige weerstand heel erg klein is. Dientengevolge is de voeding voor wisselstromen als een kortsluiting te beschouwen, d.w.z. de bovenlijn van de schakeling is voor wisselstromen dezelfde als de onderste lijn (aarde). Dit houdt in dat de basisweerstanden voor wisselstromen parallel zijn geschakeld. (zie figuur A). De kollektorweerstand van een transistor zit met één uiteinde aan de voeding (aarde) vast en deze weerstand staat dus eveneens parallel aan de kollektorimpedantie r~van de transistor (zie figuur B). Figuur A Parallelschakeling van basisweerstanden voor wis~ elstroom +vb De derde toepassing van basisschakeling A is de emittervolger die enkel dient als impedantietransformator. De schakeling bezit een hoge ingangsweerstand en een lage uitgangsimpedantie. Uitgaande van basisschakeling A moeten de volgende voorwaarden worden gesteld (zie fig. fl: a) uitgang emitter b) ~ c) e ~ /S Zolang aan de derde voorwaarde wordt voldaan (e ~ /S) is de versterking gelijk aan: Vu e v IJS.. e De in- en uitgangsspanning bezitten dus dezelfde faze zodat de uitgang vrijwel eksakt het ingangssignaal volgt, vandaar de naam emittervolger. De ingangsimpedantie is, afgezien van de basisweerstanden, gelijk aan j~g U e De uitgangsimpedantje is zeer laag nl. ujtg rie//e l/s// /S (zie hoofdstuk ). De gelijkspanningsinstelling van een emittervolger (fig. lb) is erg eenvoudig en weinig kritisch. De boven- en ondergrens waartussen de uitgangswisselspanning kan bewegen is V en VB. Voor een maksimale uitsturing moet de spanning Ve dus gelijk zijn aan Indien nu de basis-emitterspanning Vbe klein is t.o.v. VB dan kan men gerust de basisspanning Vb eveneens op de helft van de voedingsspanning instellen. Voorbeeld Wanneer e c ma en VB V dan kunnen de onderdelen als volgt worden gedimensioneerd:, To7Ï~J~ kt3 e -~-~-- ~-~, kç3 l~ ma 6V Iguur Einittervolger of impedantietransformafor weerstand dus, niet erg gewenst is kan men een verhouding van it 3 tussen en b wel tolereren. De basisweerstanden kunnen dan een aantal malen groter worden genomen waardoor de ingangsimpedantie van de schakeling toeneemt. Een praktisch voorbeeld waarbij dit wordt toegepast is een hoofdtelefoonversterker zoals in figuur is weergegeven. De hoofdtelefoon bezit een impedantie van ongeveer kt~en is rechtstreeks in de emitterleiding opgenomen. Omdat de hoofdtelefoon ook een zelfinduktie bezit zullen de wisselstroomweerstand en de gelijkstroomweerstand verschillen maar in de praktijk is het verschil te verwaarlozen. Op de ingang van de emittervolger wordt een piek-up met kristalelement aangesloten. Een dergelijk element geeft meestal een wisselspanning af tussen,3 en V (topwaarde) welke spanning groot genoeg is om de hoofdtelefoon uit te sturen. De inwendige weerstand van het element is echter hoog en daarom moet de ingangsimpedantie van de emittervolger minstens kt bedragen. Om dit te bereiken wordt een transistor gekozen met een minimale stroomversterkingsfaktor a~ 4 (BCO9c) terwijl de verhouding tussen I~en een faktor ~ ~ ~ ing!/ k / - e.7 kd Cl~~~.,ngwl~xF Figuur B Kollektorweerstand parallel aan ) De E en E -reeks zijn zowel voor weerstanden 6 als kondensatoren van toepassing. De weinig kritische instelling van een emittervolger is vooral te danken aan het feit dat de volle voedingsspanning kan worden benut om het signaal uit te sturen. Hierom is het ook niet strikt noodzakelijk dat de stroom door de spanningsdeler bl,b een faktor groter is dan de basisstroom. Hoewel volledige stroomsturing, met één basis- Figuur a Hoofdtelefoonversterker 4

3 twee is zodat de basisweerstanden een Aan de ingang van de versterker kan hoge waarde bezitten. De maksimale uitgangsspanning bedraagt een potentiometer (variabele weerstand) worden geplaatst zodat het ingangssignaal maks Valt ( v, maks) zodat de naar believen kan worden verzwakt gelijkspanning over de emitterweerstand en op deze manier een volume-regeling (hoofdtelefoon) minstens Volt moet is ontstaan. Deze pot.meter mag de ingangsimpedantie zijn. Bij het dimensioneren van de onderdelen van de schakeling niet moet men echter rekening houden beïnvloeden zodat hiervoor een hoge met variaties van de voedingsspan- waarde moet worden gekozen; bijv. ning en met toleranties van de gebruikte, MD of MD. Nu bestaan er pot.- komponenten. meters met een lineair en een logaritmisch Het is echter zeer moeilijk om alle invloedhebbende verband tussen de weerstands- faktoren te berekenen en aan de hand daarvan de schakeling te waarde en de draaiingshoek van de as. Omdat het menselijk oor de verschillen dimensioneren. Hierom is het gebruikelijk in geluidsniveau logaritmisch interpreleert om een faktor twee of meer span- ningsruimte te kiezen dan strikt noodzakelijk kan men het beste voor de voluningsruimte meregelaar een logaritmische pot.meter is, zodat men zeker aan de veilige kiezen zodat een soepele volumeïnstelmeregelaar kant zit. Hierdoor zal de hier besproken ling mogelijk is (zie fig. b). hoofdtelefoonversterker nog goed funktioneren bij een voedingsspanning van BASISSCHAKELING B 3 Volt. Een faktor twee meer spanningsruimte betekent dat de emitterspanning Valt In figuur 3 is het wisselstroomschema van basisschakeling B weergegeven (zie moet bedragen, zodat: V le l~ -~-~- ma Deze versterkingsfaktor is dus identiek aan die van basisschakeling A zonder emitterweerstand. De ingangsimpedantie is echter veel lager nl. ~~ /S. Basisschakeling B wordt meestal erg weinig toegepast; slechts in die gevallen waar een lage ingangsimpedantie nodig is. In hoogfrekwenttechnieken waar men kabels laagohmig af wil sluiten ( 3 D) kan deze schakeling zin hebben, doch hetzelfde resultaat kan worden b VB De stroom is gelijk aan ~ b sa zodat de waarden van bl en b kunnen worden bepaald: VU V Ve Vbe,7 V -~- ~-~- -~-~ -~-~-- 8 kf~ l~sa Vb 6kf It Is.tA De ingangsimpedantie is nu gelijk aan: ng -~ 7/ b, /7 - e zodat: 8 k3 // 6 kt /4 kt kt -~--~-_- 6 nf,.8 Lineaire potentiometer t Figuur 3 Basisschakeling B ook fig. 7b, deel ) waarbij de emitter als ingang fungeert. Zoals reeds eerder werd berekend is de ingangsweerstand gelijk aan: rie + S S De versterking is erg eenvoudig te vinden door de stroom i~te bepalen: e V~, le - e rie. V e s/a+ / - VI Uit deze formule blijkt dat de uitgangsspanning dezelfde faze bezit als het ingangssignaal terwijl de versterking groter is bij een kleinere waarde van b. In het geval dat b nul is, bedraagt de versterking: A ~-~S- 4.e. ~ Figuur 4 Praktische uitvoering van basisschakeling B bereikt met de basisschakeling A, door parallel aan de ingang een lage weerstand aan te brengen. De praktische schakeling is weergegeven in figuur 4. Voor een zo groot mogelijke versterking moet de basisimpedantie nul zijn hetgeen wordt bereikt door de basis voor wisselstromen via een grote kondensator naar aarde kort te sluiten. De dimensionering van de onderdelen is precies eender als in deel werd beschreven. De grootte van kondensator C is afhankelijk van de frekwentie waarbij de schakeling wordt toegepast. Hiervoor geldt globaal de volgende formule: c ~ S,6 f - ~ mln waarin f de laagste frekwentie is waarbij de schakeling nog goed moet werken. BASISSCHAKELING C Lot aritmische potentiometer Figuur b 4 - V De impedantie op de kollektor van basisschakeling C (fig. ) is zeer hoog. Dientengevolge zal er door het aanleg- 43

4 a Darlingtonschakeling met zeer hoge ingangsimpedantie b wisselstroomvervangschema Figuur 8 t VU wordt gevormd door de ingangsimpedantie van T. De totale ingangsweerstand bedraagt dus: ing ~ t-(~ - e) Met opzet is er onderscheid gemaakt tussen de stroomversterkingsfaktoren ce en ~~ van de transistoren. De emitter- ( kollektor)stroom van T is gelijk aan de basisstroom van T welke zeer klein is. Hierdoor zal de stroomversterking van T veel kleiner zijn dan die van T 3) Als bijvoorbeeld de kollektorstroom van T ma is zal de basisstroom ~ta of minder bedragen. In de meeste gevallen zal cs groter zijn dan en hiervan uitgaande is de maksimale basisstroom van T gelijk aan ua. Er zijn echter enkele typen transistoren die zelfs bij dergelijke kleine kollektorstromen nog een hoge u bezitten. Een goed voorbeeld hiervan is het type BClO9c (~ > bij I~ ia; c~ > 4 bij I~ ma). 3) Bij grote en zeer kleine stromen neemt de stroomversterkingsfaktor sterk af. liet gebied waarbij ce (of a~)maksimaal is ligt in de meeste gevallen tussen, en ma kollektorstroom. \Vanneer c _ 4 ma en V Volt wordt gekozen dan verloopt 8 de dimensionering als volgt. Voor een maksimale uitsturing geldt: Ve ~ V~ 6 V zodat e -~ let. kd b -~~-~- ~ia h~t»~~ ~-:, ia ~ imin Omdat de basisstroom bi afhankelijk is van de stroomversterkingsfakor van twee transistoren verdient het aanbeveling om de stroom door de basisweerstanden I~minstens een faktor groter te kiezen dan bi om zeker te zijn van een stabiele gelijkspanningsinstelling: Ii ~. ga V e + % se Ve,7,7 6 7,4 Volt. Ii -~-~- 4,7 MD iga 6,8 MD ~ IgA De ingangsimpedantie is dus gelijk aan:,ng,,. - ~ - ~ - ~ - e 4,7 MD 6,8 MD /7-4-, kd,6 MD., nf. VESTEKETAP MET ZËÉ HOGE VESTEKING Door basisschakeling A te kombineren met n stroombronschakeling (basisscha- Figuur 9 Versrerktrap met zeer grote versterkingsfaktor keling C) kan men een versterktrap realiseren met een versterkingsfaktor van tot keer. In figuur 9 is het principe van deze schakeling weergegeven waarbij echter de gelijkstroominstelling nog even buiten beschouwing wordt gelaten. Zoals bekend, is de versterking van T gelijk aan A S.,. In plaats van een kollektorweerstand ~ is hier een stroombronschakeling in de kollektorleiding opgenomen. Deze im- Figuur 3 Impedantie tussen kollektor en emitter: ree pedantie tussen kollektor en emitter van T werd in voorgaande schakelingen meestal oneindig groot verondersteld maar speelt hier wel degelijk een rol. Voor wisselstromen vormt de voeding een kortsluiting naar aarde. De twee impedanties van en T zijn dus voor wisselstroom parallel geschakeld. De impedantie van de stroombron is, t.g.v. emitterweerstand e vele malen groter ~ dan de kollektor-emitterweerstand van de onderste transistor (zie deel, pagina 4) zodat de eerste impedantie te verwaarlozen is en alleen de c-e-impedantie van T, hier genoemd ree, bepalend is voor de versterking (fig. 3). De versterking is dus bij benadering gelijk aan A S.rce en is geheel afhankelijk van de transistoreigenschappen S en r~. Nu is het produkt S.rce bij de meeste transistoren een tamelijk konstante faktor d.w.z. onafhankelijk van de kollektor-gelijkstroom. Wanneer e toeneemt zal de steilheid S 4O I~eveneens groter worden maar ~ neemt dusdanig af dat het produkt gelijk blijft. Omdat men in de transistortechniek het liefst met konstante parameters werkt wordt de grootheid r,~weinig gebruikt en meestal wordt dan ook de grootheid ~i toegepast: Li S.rm (i.e S. bij buizen). De waarde van p. is afhankelijk van het type transistor maar ligt in de praktijk tussen en. De versterking in deze schakeling is dus: A p. ~. GELIJKSPANNINGSINSTELLING VAN FIGUU 9. Omdat een zeer kleine verandering van ~al een grote spanningsvariatie op de kollektor teweeg brengt (t.g.v. de hoge kollektorimpedantie stroombron) zal 4

5 de transistoren niet eksakt gelijk zijn zal de kollektorspanning V~groter of kleiner worden. In het geval dat V~kleiner wil worden zal ook de spanning Vb~afnemen. Dit heeft weer tot gevolg dat de kollektorstroom ci kleiner wordt en de kollektorspanning toeneemt. Door het aanbrengen van de,,tegenkoppelweerstanden en worden dus de va riaties van de uitgangsspanning in sterke Dl D Ie UIT t de kollektorspanning V~ altijd stabiel zijn en wel gelijk aan: V~ V~b+ Vb De stroom ~is volledig bepaald door en de kollektorspanning bedraagt dan ook: Vbe -4- (I~- ) Ve mate tegengewerkt. De dimensionering van de schakeling is nu erg eenvoudig. De stroombronschakeling wordt bijvoorbeeld ingesteld op een stroom van ma. Hieruit volgt dat: e de gelijkspanningsinstelling erg kritisch zijn. De stabilisatie door toepassing van een emitterweerstand en twee basisweerstanden zoals tot heden gebruikelijk was is hier dan ook geheel onvoldoende. Er moet dus naar een andere metode worden gezocht en de enige openblijvende mogelijkheid is de toepassing van tegenkoppeling. In figuur 3 is de komplete schakeling met stabiele gelijkspanningsinstelling weergegeven. De weerstand die tussen kollektor en basis van T is aangesloten moet groot zijn t.o.v. rm ~t/s omdat anders hierdoor de versterking wordt beïnvloed. Tevens moet de stroom Ii groot zijn t.o.v. 6. Dit is in principe in tegenspraak met elkaar zodat hier een kompromis moet worden gevonden. Wanneer de kollektorstromen door bei- Ve ma Figuur 3 Stabiele instelling van een versterktrap m.b.v. tegenkoppeling 68 D De weerstand b dient voor de instel ling van de siliciumdiodes D en D. Wordt hiervoor een stroom van bijv. J~mA gekozen dan is: VS V~ -- ~--~ - 4,6V -~--~- -,~~- lokd. Voor de maksimale uitsturing moet de spanning V~zich midden tussen de niveaus V VC en V bevinden dus: V, ~,6 Volt. (VB Ve )/~(6,7)~ De basisstroom I~is gelijk aan I,/cz~~ ua zodat I~ ga. De weerstanden en zijn dan gelijk aan: Ve V,,6 ~be l~,7 V,7 V Ve ---- w6,8kd. I~ looga Door de tegenwerking van de kollektorspanning via naar de basis van T zal Vse 7 -~- ~ - + t Vse Uit deze eenvoudige vuistregel blijkt dat Ve geheel onafhankelijk is van de voedingsspanning en van de kollektorstroom. Dit opent nieuwe perspektieven voor het ontwerpen van uiterst stabiele schakelingen, in het volgende hoofdstuk zal hieraan alle aandacht worden besteed en het principe van deze tegenwerking of tegenkoppeling zal hierin nader worden uitgelegd. De tegenkoppeling in deze schakeling heeft ook nog andere gevolgen. De kollektorin3pedantie van T wordt mede be paald door de weerstand t zodat de versterking iets lager zal zijn dan de faktor u. Verder is de ingangsimpedantie zéér laag, veel kleiner dan de ingangsweerstand van de transistor. Om toch een hoge ingangsimpedantie te bereiken zou men gebruik kunnen maken van een emittervolger of darlingtontrap die hiervoor wordt geschakeld. Menigeen zal de eksakte werking van de tegenkoppeling in de beschreven schakeing zijn ontgaan. Het is ook slechts bedoeld als een aanloop tot het volgende hoofdstuk dat geheel gewijd is aan tegenkoppeling. Sinds kort is het boekwerk -, Basiskursus halfgeleiderelektroni- ka verschenen. Het le deel, omvattende hoofdstuk t/m 7, werd reeds gepubliceerd in de nummers januari t/m september 966 van Elektuur. In het boekwerk is dit uitgebreid met deel, hoofdstuk 8 tm. De kursus Ontwerptechniek voor haifgeleiderschakelingen start in het oktobernummer,, ge- kan gezien worden als een uitbrei- ding san deze hasiskursus halfgeleiderelektronika, omdat in dit boek uitvoerig wordt ingegaan op de fysische werking en opbouw van haifgeleiders. Hierdoor is het uitermate geschikt voor stu \ / / diedoeleinden ) zoals hijv. MTS, HTS en TH ) en voor elektronici met belangstelling op dit gebied. Vooral de ic-technologie en de geometrische opbouw van integrated circuits, die in dit Basiskursus Haifgeleider Elektronika boek worden besproken, zijn zeer interessant voor al diegene die nauw bij deze ontwikkeling zijn betrokken. Bestellingen kunnen worden gedaan door storting van f, op gironummer 4.. t.n.v. Elektuur, postbus 4, Geleen met hijvermelding: TB. Voor België op PCII 7,7.6 het bedrag Bfrs. 78,- 46

6 3Â~TC ÂVIT H..Tr~Xt. basisschakeling A IN vi hoge versterking A 4 stabiele versterking emittervolger A~. ing A~ hoog ing. hoog laag. uitg basisschakeling B hoge versterking UIT U lage ingangsimpedantie tin A ~ 4. V~ basisschakeling c EHATA DEEL pag.i36 kolom. midden zodal l~(~ I~)voornamelijk wordt bepaald door en V ie onderste formule moet zijn: -v pag. 39 kolom. onderaan ± B Bij de praktische dimensionering van de schakeling werd voor een waarde van 4 gevonden; dit moet zijn b 6,8. zie ook fig,) kolom 3. Opdracht 3. De formule S /(4,) is vanzelfsprekend fout en moet zijn: S 4., stroombron je konstant pag. 43 kolom, regel moet luiden: - voedingsspanning VB Volt regel (jc~ eve /S moet zijn ~8n/S ) 47

7 laten werken. Een en ander zal duidelijk worden bij de toepassing van deze schakeling. Bij de behandeling van de basisschakeling zal nog even in het midden gelaten worden hoe men dit moet realiseren. De instelling van de stroombronschakeling kan op dezelfde wijze worden gerealiseerd als bij de andere schakelingen (fig. 6). Bij dit circuit is de grootte van de basisweerstanden bl en b niet van vb Figuur Basisschakeling C VB gen van een spanning v vrijwel geen kollektorwisseistroom lopen en zal eveneens de emitterstroom heel erg klein zijn. De wisselspanningen ~e en Vb zijn dan ook zo klein dat men deze in de praktijk op nul kan stellen. Deze basisschakeling kan dus niet als versterkertrap worden gebruikt. Als stroombronschakeling ) kan dit circuit toch nut hebben en vooral bij de moderne geïntegreerde technieken wordt zij vaak toegepast. Wanneer men bijvoorbeeld met één versterktrap een zeer hoge versterkingsfaktor wil verwezenlijken dan kan men de kollektorweerstand vervangen door een dergelijke stroombronschakeling zodat er een zeer hoge kollektorimpedantie ontstaat terwijl er toch voldoende gelijkstroom kan lopen. Ook op andere plaatsen waar bij een tamelijk grote gelijkstroom toch een hoge wisselstroomweerstand wordt vereist kan deze schakeling erg nuttig zijn. Men moet zich echter goed realiseren dat dit basiscïrcuit alleen in kombinatie met andere schakelingen kan worden gebruikt omdat op welke wijze dan ook een bepaalde kollektorgelijkspanning aanwezig moet zijn om de transistor te draagt dus x,7 V stroom I~gelijk is aan: C Vh Vb. ~,4 V zodat de,7v e Ter illustratie: wanneer ~ varieert tussen 3 V en V dan verandert de kollektorstroom I~slechts %. Men kan dus werkelijk spreken van een konstante stroombron. In figuur 7b is dezelfde schakeling met een PNP-transistor (silicium) weergegeven zodat men naar believen een keuze kan maken tussen een stroombron t.o.v. aarde en tav. de voedingslijn (zie fig. 7e). DALINGTON-SCHAKELING Figuur 6 Stroombronschakeling standen met Deze schakeling bestaat uit twee emittervolgers die achter elkaar zijn geschakeld (fig. 8). Hierdoor kan de ingangsimpedantie van een versterker tot ekstreem hoge waarde worden opgevoerd. De basisweer- emitterweerstand van de transistor T VB belang mits de stroom I~groot is t.o.v. De kollektorimpedantie is namelijk praktisch onafhankelijk van bl en b. Uitgaande van een gewenste kollektorstroom I~kan men de instelling van het circuit bepalen. Voor een stabiele instelling (dus I~ is onafhankelijk van de eigenschappen van de transistor) moet gelden: e ~ /S. Een gelijkspanning over e van,7 Volt is in de meeste gevallen groot genoeg om een stabiele instelling te verzekeren (zie deel, pag. 38). Bij een kollektorstroom van bijv. ma en een voedingsspanning VB 6 V geldt:,7 ~ 68 Q -- ma b Een stroombron is een element met een zeer hoge inwendige weerstand. Het is in principe een voedingsbron die een konstante stroom levert, onafhankelijk van de belasting die er op wordt aangesloten. De stroombron is dus de tegenpool van de spanningsbron waarbij wel de stroom, m&ar niet de geleverde spanning wordt beïnvloed door de belasting. In onderstaande figuur is het symbool voor een stroom bron weergegeven. ) stroom bron 44 spanningsbron hi V 6 Vh,, Vb /.7 ~,7V I(ijiA 47kf~ evenzo: b k De stroom mag ook groter worden gekozen bijv. ma. De basisweerstanden zijn dan resp. 4,7 kq en, k~l. In veel gevallen wil men dat de stroom ~ook onafhankelijk is van de voedingsspanning. Dit kan men op eenvoudige wijze bereiken door twee siliciumdiodes als gelijkspanningsbron op de basis aan te sluiten (zie fig. 7a). De stroom door de diodes (die groot moet zijn t.o.v. wordt ingesteld d.m.v. b. Wanneer nu de voedingsspanning varieert dan verandert wel de stroom door D en D doch de diodespanning is weinig afhankelijk van de stroom erdoor vanwege de steile I-V-karakteristiek (zie deel ). ~b be- ~Ic NPN-stroom bron PNP-stroom bron schakeling Figuur 7 Stroom bronschakeling diodes schakeling ingesteld d.m.v.