Elektronische basisschakelingen: Oefenzitting 2
|
|
|
- Joanna van der Wolf
- 7 jaren geleden
- Aantal bezoeken:
Transcriptie
1 Elektronische basisschakelingen: Oefenzitting 2 Lynn Verschueren ([email protected]) October 31, 2018 De meest recente versies van deze teksten zijn te vinden op: h01m3/ Formuleoverzicht Deze oefenzitting gebruiken we volgende formules: NMOS transistor groot signaal v DS v GS V T : saturatiegebied : i DS = K W L (v GS V T ) 2 (1 v DS V E L ) v DS < v GS V T : lineair gebied: i DS = K W L ((v GS V T )2v DS v 2 DS ) PMOS transistor groot signaal v SD v SG V T : saturatiegebied : i SD = K W L (v SG V T ) 2 (1 v SD V E L ) v SD < v SG V T : lineair gebied: i SD = K W L ((v SG V T )2v SD v 2 SD ) Bipolaire transistor groot signaal i C = I S e v BE kt /q i C i B = i E i C = β i B kt q = 26mV (bij kamertemperatuur) NMOS transistor klein signaal (in saturatie) (kan je zelf afleiden!) g m = 2I DS V GS V T r 0 = V EL V DS I DS 1
2 Figure 1: Kleinsignaal schema van een nmos transistor PMOS transistor klein signaal (in saturatie) (kan je zelf afleiden!) g m = 2I SD V SG V T r 0 = V EL V SD I SD Figure 2: Kleinsignaal schema van een pmos transistor Bipolaire transistor klein signaal (kan je zelf afleiden!) g m = I C kt/q r π = β g m Figure 3: Kleinsignaal schema van een bipolaire transistor 2
3 1 Differentieelversterker 1.1 Differentieelversterker met weerstanden als last V dd v UIT,L v UIT v UIT,R 2 v B 2 I B V IN V IN V ss Figure 4: Elementaire differentieelversterker Gegegeven: De versterker uit figuur 4. De parameters voor de transistoren van het differentieel paar zijn: V T = 0.7V,K = 50 µa, W = 118µm,L = V 2 0.5µm,V E = 50 V. Verder is I µm B = 1mA, V dd = 3V en V ss = 0V. 1. Bereken V IN en zodat V B = 0.5V en V UIT,L = V UIT,R = 2V. 2. Teken een kleinsignaal schema in het bekomen werkingspunt. Bepaal de kleinsignaal parameters r 0 en g m. 3. Bepaal de volgende parameters: A d = v uit,l v uit,r A c = v uit,l v uit,r 2 = v uit in de veronderstelling dat = 0V in de veronderstelling dat = 0V Commonmode rejection ratio CMRR = A d A c. Druk dit ook eens uit in db. Beschrijf wat er gebeurt met de grootsignaalstromen in de twee takken en de spanningen op de knopen wanneer een beetje stijgt. (Bemerk dat r 0 >> en in een eersteorde beschrijving dus verwaarloosd kan worden). Wat is de functie van de transistoren? Wat is de functie van de weerstanden? 3
4 1.2 Differentieelversterker met nietideale instelstroombron V dd v UIT,L v UIT v UIT,R 2 v B 2 V bias I B V IN V IN V ss Figure 5: Differentieelversterker met nietideale instelstroombron Gegegeven: De versterker uit figuur 5. De parameters voor de transistoren van het differentieel paar zijn: V T = 0.7V,K = 50 µa, W = 118µm,L = V 2 0.5µm,V E = 50 V. De NMOS die voor de instelstroom zorgt levert I µm B = 1mA in het instelpunt waar V B = 0.5V en heeft r 0 = 75kΩ. Verder is V dd = 3V en V ss = 0V. 1. Bereken V IN en zodat V B = 0.5V en V UIT,L = V UIT,R = 2V. 2. Teken een kleinsignaal schema in het bekomen werkingspunt. Bepaal de kleinsignaal parameters r 0 en g m. 3. Bepaal voor het bekomen instelpunt volgende gegevens: A d = v uit,l v uit,r A c = v uit,l v uit,r 2 = v uit in de veronderstelling dat = 0V in de veronderstelling dat = 0V Commonmode rejection ratio CMRR = A d A c. Druk dit ook eens uit in db. 4. Extra: voor de insteltransistor geldt eveneens V T = 0.7V,K = 50 µa V 2 en V E = 50 V. Bepaal W en L van de instelnmos zo dat aan de µm gegevens voldaan is (I B = 1mA bij V B = 0.5V en r 0 = 75kΩ) indien V BIAS = 1.2V wordt gekozen. 4
5 1.3 Differentieelversterker met bipolaire transistoren Figure 6: Differentieelversterker met bipolaire transistoren Gegegeven: De versterker uit figuur 6. De parameters voor de transistoren van het differentieel paar zijn: β = 100, V BE,DC = 0.7V. Verder is V DD = 3V, V SS = 0V, R S = 10kΩ, en I BIAS = 1mA. 1. Bereken V IN en zodat V BIAS = 0.5V en V UIT,L = V UIT,R = 2V. 2. Teken een kleinsignaal schema in het bekomen werkingspunt. Bepaal de kleinsignaal parameters r π en g m. 3. Bepaal de volgende parameters: A d = v uit,l v uit,r = v uit in de veronderstelling dat = 0V A c = v uit,l v uit,r 2 in de veronderstelling dat = 0V Commonmode rejection ratio CMRR = A d A c. Druk dit ook eens uit in db. 5
6 2 Stroomspiegel 2.1 Elementaire stroomspiegel V dd V BIAS i B v IN i IN i UIT 1 : 5 V ss v UIT i in v in R IN i in A R UIT i uit v uit Figure 7: Elementaire stroomspiegel en kleinsignaal equivalent model Gegeven: De stroomspiegel uit figuur 7. De parameters voor de linkertransistor zijn: V T = 0.7V,K = 50 µa, W = 10µm,L = 1µm,V V 2 E = 50 V. µm De parameters voor de rechtertransistor zijn: V T = 0.7V,K = 50 µa, W = V 2 50µm,L = 1µm,V E = 50 V. Verder is I µm B = 0.1mA, V BIAS = 1V, = 100Ω, V dd = 3V en V ss = 0V. Ter Info: de gate en drain van de linkertransistor zijn met elkaar verbonden. Daardoor vertoont de i DS v DS karakteristiek een (iets meer dan) kwadratische verloop, wat van ver wel wat lijkt op de exponentiële karakteristiek van een diode. Daarom noemt men dit een transistor in diodeconfiguratie. Ter info: de bedoeling van dit circuit is om de stroom die in de linkertak vloeit zo goed mogelijk te spiegelen (met een vermenigvuldigingsfactor) naar de rechtertak. Om een goede spiegeling te bekomen moeten de twee transistoren in hetzelfde instelpunt werken, anders is er een afwijking van de gewenste verhouding tussen de i DS en (en daarmee in g m en r 0 als we enkel naar de kleinsignaalstroom kijken). Door het verbinden van de gates is de belangrijkste parameter, v GS identiek. 6
7 Ter info: in dit schema stelt en V bias een Théveninequivalent voor van een volgend stroomgestuurd systeemblok, en idealiter is (de kleinsignaal weerstand) dan ook klein. 1. Bepaal de DCinstelling van het circuit (concreet: bepaal de spanningen op alle nodes en de stroom I UIT als i B = I B ). (Derdegraadsvergelijkingen mag je met het rekentoestel oplossen). 2. Bepaal voor het bekomen instelpunt het kleinsignaal schema en de bijhorende parameters. 3. Bepaal het equivalente kleinsignaal model zoals afgebeeld in figuur 7 (e.g. bepaal R IN, R UIT en A voor de stroomspiegel alleen). 4. Bepaal i uit i in, rekening houdend met het volledige circuit uit figuur 7. 7
8 2.2 (Extra) Verbeterde stroomspiegel V dd i B V BIAS i IN i UIT V C T 3 T 4 v IN T 1 1 : 5 V ss T 2 v UIT Figure 8: Verbeterde stroomspiegel Gegeven: De verbeterde stroomspiegel uit figuur 8. De parameters voor de transistoren zijn V T = 0.7V,K = 50 µa en V V 2 E = 50 V. µm T 1 en T 3 : W = 10µm,L = 1µm T 2 en T 4 : W = 50µm,L = 1µm Verder is I B = 0.1mA, V BIAS = 1V, = 100Ω, V dd = 3V en V ss = 0V. 1. Bepaal V C zodat V DST1 = 0.5V 2. Bepaal de DCinstelling van het circuit. (concreet: bepaal de spanningen op alle nodes als i B = I B ). Voor de uitgangsinstellingen I UIT, V UIT en V 2 kan je stoppen als je een stelsel hebt dat in principe oplosbaar is. Het resultaat mag je uit de oplossingen overschrijven. 3. Bepaal voor het bekomen instelpunt het kleinsignaal schema. 4. Bepaal het equivalente kleinsignaal schema zoals afgebeeld in figuur 7. e.g. bepaal R IN, R UIT en A voor de stroomspiegel. Vereenvoudig waar mogelijk (e.g. laat in optellingen alle termen weg die minder dan 5% van het totaal uitmaken.) 5. Bereken i uit i b voor het volledige circuit. 8
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen 2
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen Nico De Clercq ([email protected]) ESAT 9.0 November 5, 03 Differentieelversterker. Differentieelversterker met weerstanden als last i i v uit,l
Elektronische basisschakelingen: Oefenzitting 1
Elektronische basisschakelingen: Oefenzitting 1 Aki Sarafianos ([email protected]) ESAT 91.22 October 21, 2013 Formuleoverzicht In zitting 1 en 2 worden volgende constanten en modellen gebruikt:
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen 1
Elektronische basisschakelingen: Oplossingen Aki Sarafianos ([email protected]) ESAT 9.22 November 4, 202 Oefening op spannindelers, wetten van Kirchoff en equivalente schakelingen R v R
Elektronische Basisschakelingen Oefenzitting 1
Elektronische Basisschakelingen Oefenzitting 1 Aki Sarafianos http://homes.esat.kuleuven.be/~h01m3/ Materialen Slides, opgaves, extra info,... http://homes.esat.kuleuven.be/~h01m3/
Oefenopgaven 1 Devices Opgave 1.1
Oefenopgaven 1 Devices Opgave 1.1 Beschouw onderstaande transistor. De technologie is de 0.25µm technologie uit het boek, maar we nemen λ=0 en V DSAT =. (Opm.: De zinsnede is de 0.25µm technologie uit
GESTABILISEERDE VOEDING
1 GESTABILISEEDE VOEDING In de module over de diode werd in de laatste paragraaf de netadaptor behandeld: om aan de uitgang een dc-spanning te bekomen, werd in serie met de belastingsweerstand een zenerdiode
De overgang van een gelineariseerde schakeling naar signaalverwerkingsblok
De overgang van een gelineariseerde schakeling naar signaalverwerkingsblok Stefan Cosemans ([email protected]) http://homes.esat.kuleuven.be/~scoseman/basisschakelingen/ Voorwoord In deze
Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen.
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Module 1: werken met OPAMPS. Project 1 : Elementaire lineaire OPAMP schakelingen. 1. Opgaven. - Zoek de bijzonderste principe schema s en datagegevens. Meet de opstellingen
Vak: Labo elektro Pagina 1 / /
Vak: Labo elektro Pagina 1 / / Verslag Transistoren. Spanningsversterking. De transistor is slechts een stroomversterker. Die tot spanningsversterker kan worden uitgebreid. Hiervoor plaatsen we een weerstand
Inleiding Vermogenversterkers en de Klasse A versterker
Inleiding Vermogenversterkers en de Klasse A versterker Jan Genoe KHLim Universitaire Campus, Gebouw B 3590 Diepenbeek Belgium http://www.khlim.be/~jgenoe In dit hoofdstuk situeren we eerste in het algemeen
TENTAMEN Versterkerschakelingen en Instrumentatie (EE1C31)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT Faculteit Elektrotechniek, Wiskunde en Informatica TENTAMEN Versterkerschakelingen en Instrumentatie (EE1C31) 15 april 2015, 9.00-12.00 uur Dit tentamen bestaat uit twee opgaven
MOS transistor. Jan Genoe KHLim. In dit hoofdstuk bespreken we de MOS transistor, veruit de belangrijkste component in de hedendaagse elektronica.
Jan Genoe KHLim In dit hoofdstuk bespreken we de, veruit de belangrijkste component in de hedendaagse elektronica. Versie: woensdag 7 maart 2001 1 isolator gate gate n p n p n p source NMOS drain PMOS
Hoofdstuk 2: De veldeffecttransistor
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 2: De veldeffecttransistor Tot nu toe hebben we steeds aandacht besteed aan de studie van bipolaire transistoren. In dit hoofdstuk en in
Hoofdstuk 3: JFET-versterkerschakelingen
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 3: JFET-versterkerschakelingen 1: Inleiding In het eerste semester zagen we dat een AC-verterker opgebouwd kan worden met behulp van een
Klasse B versterkers
Klasse B versterkers Jan Genoe KHLim Universitaire Campus, Gebouw B 359 Diepenbeek Belgium http://www.khlim.be/~jgenoe In dit hoofdstuk bespreken we de Klasse B en de klasse G versterker. Deze versterker
Lijst mogelijke examenvragen Analoge Elektronica
Lijst mogelijke examenvragen Analoge Elektronica Vakcoördinator: Nobby Stevens Het examen is gesloten boek en mondeling met schriftelijke voorbereiding. Het gebruik van rekenmachines is niet nodig en ze
Over Betuwe College Oefeningen H3 Elektriciteit deel 4
1 Door een dunne draad loopt een elektrische stroom met een stroomsterkte van 2 µa. De spanning over deze draad is 50 V. Bereken de weerstand van de dunne draad. U = 50 V I = 2 µa R = 50V 2µA R = 2,5 10
Materialen in de Electronica Practicum 2 : Een zonnecel en een diode (dinsdag 21 april 2015)
Vakgroep Ingenieurswetenschappen en Architectuur Academiejaar 2014-2015 Materialen in de Electronica Practicum 2 : Een zonnecel en een diode (dinsdag 21 april 2015) Groep 6 Cuyvers Stijn Pascal Jaron Van
Basisschakelingen en poorten in de CMOS technologie
asisschakelingen en poorten in de CMOS technologie Jan Genoe KHLim Universitaire Campus, Gebouw -359 Diepenbeek www.khlim.be/~jgenoe In dit hoofdstuk bespreken we de basisschakelingen en poorten in de
7. Hoe groot is de massa van een proton, van een neutron en van een elektron?
Vraagstukken Halfgeleiders Middelbaar Elektronicus (Rens & Rens) 1. Wat verstaat men onder een molecule? 2. Waaruit bestaat in het algemeen een molecule? 3. Waaruit bestaat in het algemeen een atoom? 4.
Oefenopgaven nr. 1 Opgave 1.1
Oefenopgaven nr. 1 Opgave 1.1 Beschouw onderstaande transistor. De technologie is de 0.25µm technologie uit het boek, maar we nemen λ=0 en V DSAT =. (Opm.: De zinsnede is de 0.25µm technologie uit het
Tentamen Elektronische Schakelingen (ET1205-D2)
Vul op alle formulieren die je inlevert je naam en studienummer in. Tentamen Elektronische Schakelingen (ET1205-D2) Datum: maandag 30 juni 2008 Tijd: 09.00 12.00 uur Naam: Studienummer: Cijfer Lees dit
Klasse B output buffer voor een Flat Panel Display Kolom aansturing
Gevalstudie 1 Klasse B output buffer voor een Flat Panel Display Kolom aansturing IEEE Journal of Solid-state circuits, Vol 34, No 1, Januari 1999, pp 116-119 Jan Genoe KHLim Flat Panel display kolom driver
Repetitie Elektronica (versie A)
Naam: Klas: Repetitie Elektronica (versie A) Opgave 1 In de schakeling hiernaast stelt de stippellijn een spanningsbron voor. De spanningsbron wordt belast met weerstand R L. In het diagram naast de schakeling
Hertentamen Lineaire Schakelingen (EE1C11)
Hertentamen Lineaire Schakelingen (EE1C11) Datum: 6 januari 2016 Tijd: 18:30 21:30 uur Plaats: CT instructiezaal 1.96 Dit tentamen bestaat uit 6 opgaven. Deel je tijd dus goed in! Gebruik voor elk vraagstuk
TENTAMEN MEDISCHE ELEKTRONICA
TENTAMEN MEDISCHE ELEKTRONICA SP, vakcode 040 Maandag 5 maart 004, 3:30u 7:00u, Sportcentrum Vooraf Bij dit tentamen mag geen gebruik worden gemaakt van aantekeningen of studiemateriaal. Het tentamen bestaat
Practicum Audioversterker H01M3 Elektronische Basisschakelingen
Faculteit Ingenieurswetenschappen Departement Elektrotechniek ESAT KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN Practicum Audioversterker H01M3 Elektronische Basisschakelingen Titularis: Steyaert, M. Assistenten: Elly
Elektronische basisschakelingen Oefenzitting 3.
Elektronische basisschakelingen Oefenzitting 3 [email protected] Doelstellingen Frequentiegedrag van ideale opampschakelingen in feedback Invloed van reële opamps op dit frequentiegedrag
Fig. 5.1: Blokschema van de 555
5 Timer IC 555 In de vorige drie hoofdstukken hebben we respectievelijk de Schmitt-trigger, de monostabiele en de astabiele multivibrator bestudeerd. Voor ieder van deze schakelingen bestaan in de verschillende
Materialen in de elektronica Verslag Practicum 1
Materialen in de elektronica Verslag Practicum 1 Academiejaar 2014-2015 Groep 2 Sander Cornelis Stijn Cuyvers In dit practicum zullen we de diëlektrische eigenschappen van een vloeibaar kristal bepalen.
Engineering Embedded Systems Engineering
Engineering Embedded Systems Engineering Interfacetechnieken Inhoud 1 Timing digitale schakelingen... 3 2 Berekenen delay-tijd... 5 3 Theorie van Thevenin... 11 4 Theorie van Norton... 15 5 Oefenopgaven
520JHKHXJHQV -DQ*HQRH.+/LP
520JHKHXJHQV -DQ*HQRH.+/LP 1 6LWXHULQJ520JHKHXJHQV Geheugens Halfgeleider Geheugens Serieel toegankelijk geheugen Willekeurig toegankelijk geheugen Read Only Memory ROM Random Access Memory RAM Masker
Over Betuwe College Oefeningen H3 Elektriciteit deel 4
1 Door een dunne draad loopt een elektrische stroom met een stroomsterkte van 2 A. De spanning over deze draad is 50 V. Bereken de weerstand van de dunne draad. U = 50 V I = 2 A R = 50V 2A R = 25Ω 2 Een
Deel 1 De Operationele versterker
Deel 1 1)Symbool Henry Torfs 6TIICT 1/11 2)Inwendige + werking 2.1)Inwendige structuur van de Op-Amp Verschilversterker Versterker Eindtrap Henry Torfs 6TIICT 2/11 3)Werking De operationele versterker
HERTENTAMEN MEETTECHNIEK (EE1320) Woensdag 24 augustus 2011, 9:00u 12:00u
HERTENTAMEN MEETTECHNIEK (EE1320) Woensdag 24 augustus 2011, 9:00u 12:00u Dit tentamen bestaat uit 3 vraagstukken met elk 5 deelvragen. Alle deelvragen tellen in principe even zwaar. Bij dit tentamen mag
Hoofdstuk 8: De transistor
lektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 8: De transistor 1: Inleiding én van de meest gebruikte elektronische componenten is de bipolaire transistor. In dit hoofdstuk bestuderen
Hoofdstuk 4: De MOSFET
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 4: De MOSFET 1: De bouw van een MOSFET Bij een JFET vinden we een diode tussen de gate en het kanaal. Wanneer de aangelegde spanning de
Analoge en Digitale Elektronica
Analoge en Digitale Elektronica 14 september 2007 1 2 de zit 2006-2007 Bespreek het potentiaalverloop en de stroomcomponenten doorheen een PN junctie in ongepolariseerde toestand, bij voorwaartse polarisatie,
Circuits and Signal Processing ET2405-d2
Circuits and Signal Processing ET2405d2 5e college rie van Staveren en Wouter. Serdijn ET2405d2 / 6 e college Leerdoelen Na afloop van dit college kan je: de beperkingen van het model van Black aangeven;
Hoofdstuk 9: Transistorschakelingen
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 9: Transistorschakelingen 1: Inleiding Na in het voorgaande hoofdstuk het gedrag van de transistor zelf beschreven te hebben, zullen we
Bipolaire Transistor
Bipolaire Transistor Jan Genoe KHLim Universitaire Campus, Gebouw B B-3590 Diepenbeek www.khlim.be/~jgenoe In dit hoofdstuk bespreken we de bipolaire transistors. (bron foto: http://en.wikipedia.org) Versie:
Inhoudsopgave De transistor en FET
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Bipolaire transistoren...3 De NPN-transistor...3 Verzadigingstoestand van de bipolaire transistor...5 De transistor als schakelaar...6 Het Early-effect...7 De PNP-transistor...8
Hoofdstuk 4 Het schakelen van weerstanden.
Hoofdstuk 4 Het schakelen van weerstanden.. Doel. Het is de bedoeling een grote schakeling met weerstanden te vervangen door één equivalente weerstand. Een equivalente schakeling betekent dat een buitenstaander
Toets 1 IEEE, Modules 1 en 2, Versie 1
Toets 1 IEEE, Modules 1 en 2, Versie 1 Datum: 16 september 2009 Tijd: 10:45 12:45 (120 minuten) Het gebruik van een rekenmachine is niet toegestaan. Deze toets telt 8 opgaven en een bonusopgave Werk systematisch
Universiteit Twente EWI. Practicum ElBas. Klasse AB Versterker
Universiteit Twente EWI Practicum ElBas Klasse AB Versterker Jeroen Venema (s1173375 Danie l Sonck (s1176366 [email protected]) [email protected]) 23 april 2012 Samenvatting Voor
Schriftelijke zitting Regeltechniek (WB2207) 3 november 2011 van 9:00 tot 12:00 uur
Schriftelijke zitting Regeltechniek (WB2207) 3 november 2011 van 9:00 tot 12:00 uur Onderstaande aanwijzingen nauwkeurig lezen. Vul op het voorblad uw naam, voorletters, studienummer en opleiding in. Dit
Hoofdstuk 10: Speciale types transistoren
1 Hoofdstuk 10: Speciale types transistoren In dit korte hoofdstuk zullen we een overzicht geven van de belangrijkste types bipolaire transistoren die in de handel verkrijgbaar zijn. 1: Transistoren voor
Hoofdstuk 4: Gestabiliseerde voedingen
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 4: Gestabiliseerde voedingen 1: Inleiding Een spanningsstabilisator (= gestabiliseerde voeding) is een elektronische schakeling welke een
Formularium Elektronische Systemen en Instrumentatie. Hanne Thienpondt
Formularium Elektronische Systemen en Instrumentatie Hanne Thienpondt Formularium Termen en definities Analoog signaal Digitaal signaal Binair signaal V en I continue functies van de tijd V en I discontinue
B-examen radioamateur : Zitting van 8 maart Reglementering
B-examen radioamateur : Zitting van 8 maart 2000 Reglementering 1. Het maximaal vermogen dat een station van sectie B mag uitzenden in AM is : a. 30 W b. 150 W c. 10 W d. 25 W 2. Mag een radioamateur gebruik
AS2 lecture 3. Diode. Cees Keyer. November 21. Amsterdam School of technology, dept. Electronic Engineering. Cees Keyer.
AS2 lecture 3 Diode Cees Keyer. Amsterdam School of technology, dept. Electronic Engineering November 21 De Diode. De halfgeleiders Diode: Wat is een diode? Soort elektronisch ventiel, stroom kan in principe
Blackman: de impact van terugkoppeling op nodeimpedanties
Blackman: de impact van terugkoppeling op nodeimpedanties Stefan Cosemans ([email protected]) http://homes.esat.kuleuven.be/~scoseman/basisschakelingen/ Overzicht Impedantie op een node
Practicum Audioversterker H01M3 Elektronische Basisschakelingen
Faculteit Ingenieurswetenschappen Departement Elektrotechniek ESAT KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN Practicum Audioversterker H01M3 Elektronische Basisschakelingen Titularis: Steyaert, M. Assistenten: Pieter
Case Simulink EE4- Building a SSV - Team PM1 21 maart 2014
Case Simulink EE4- Building a SSV - Team PM1 21 maart 2014 Inhoudsopgave Inhoudsopgave... 1 Figurenlijst... 1 Inleiding... 2 Gedrag van het zonnepaneel gekoppeld aan een weerstand... 2 Gedrag van de DC-motor
Operationele versterkers
Operationele versterkers. Inleiding. Een operationele versterker of ook dikwijls kortweg een "opamp" genoemd, is een veel voorkomende component in de elektronica. De opamp komt voor in allerlei verschillende
-Zoek de eventuele benodigde gegevens op in het tabellenboek. -De moeilijkere opgaven hebben een rood opgavenummer.
Extra opgaven hoofdstuk 7 -Zoek de eventuele benodigde gegevens op in het tabellenboek. -De moeilijkere opgaven hebben een rood opgavenummer. Gebruik eventueel gegevens uit tabellenboek. Opgave 7.1 Door
Hoofdstuk 3: Praktische opampschakelingen 2
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 3: Praktische opampschakelingen 2 1: De nietinverterende versterker i Rf R f i R1 u i u R1 u id 0 i 0 i 0 u Rf u O Figuur 3.1: De nietinverterende
HOOFDSTUK 3: Netwerkanalyse
HOOFDSTUK 3: Netwerkanalyse 1. Netwerkanalyse situering analyseren van het netwerk = achterhalen van werking, gegeven de opbouw 2 methoden manuele methode = reductie tot Thévenin- of Norton-circuit zeer
Onderwijs op maat voor uitdaging en motivering Enkel 1
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een stroom loopt als er een gesloten stroomkring is. (aantal elektronen per seconde) Weerstand
Schriftelijke zitting Systeem- en regeltechniek 2 (WB2207) 29 januari 2009 van 14:00 tot 17:00 uur
Schriftelijke zitting Systeem- en regeltechniek 2 (WB2207) 29 januari 2009 van 14:00 tot 17:00 uur Onderstaande aanwijzingen nauwkeurig lezen. Vul op het voorblad uw naam, voorletters, studienummer en
Elektrische Netwerken
Elektrische Netwerken 1 Project 1 Info te verkrijgen via: http://www.hanese.nl/~jonokiewicz/ Programma Week 1: DC stromen en spanningen Week 2: Serie en parallel, l stroomdeling, spanningsdeling Week 3:
Deeltentamen Lineaire Schakelingen (EE1300), deel B
Deeltentamen ineaire Schakelingen (EE1300), deel B laats: zaal 4.25 (TNW) Datum: 29 januari 2015 Tijd: 9:00 12:00 uur Dit tentamen bestaat uit 5 opgaven. Gebruik voor elk vraagstuk een nieuw blad. Vermeld
Antwoorden bij Deel 1 (hfdst. 1-8)
Elektrische netwerken Oefenopgaven: open vragen Hints en Antwoorden Antwoorden bij Deel 1 (hfdst. 1-8) Hoofdstuk 1 1.1 15 S 1.2 4,5 A 1.3 2 A, 4 A, 6 A 1.4 5 ma,!2,5 ma 1.5 B: in strijd met de stroomwet;!1
Uitwerkingen Tentamen Elektronische Signaalbewerking (ET2405- D2) 4 juli 2008, 14:00 17:00 uur
Tentamen Elektronische Signaalbewerking (ET45-D), 4 juli 8, 4: 7: uur, pagina van Technische Universiteit Delft Faculteit Elektrotechniek, W&I Sectie Elektronica (8 e ) Uitwerkingen Tentamen Elektronische
Opgave 2 Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat.
Uitwerkingen 1 A Een spanningsbron wordt belast als er een apparaat op is aangesloten dat (in meer of mindere mate) stroom doorlaat. Een ideale spanningsbron levert bij elke stroomsterkte dezelfde spanning.
Onderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Hertentamen Lineaire Schakelingen (EE1300)
Hertentamen Lineaire Schakelingen (EE1300) Plaats: TN-4 A207 --- TN-2 F206 --- TN-5 A211 --- TN-1 F205 Datum: 12 april 2013 Tijd: 09:00-12:00 uur Dit tentamen bestaat uit 5 opgaven. Mensen met een dyslexie-
Onderwijs op maat voor uitdaging en motivering
Uitleg: Rekenen met Elektriciteit zegt iets over hoeveel energie het apparaat gaat gebruiken als deze 1s aan staat. Een spanning ontstaat door ladingverschil. (verschil in elektronen tussen polen) Een
Elektronica 2ge - sem 1
Elektronica ge - sem 1 Michael De Nil 11 februari 004 1 Init Formula s Diode: I D = I S. Transistor: I C = I S. g m = I C VT r π = β g m r o = V CE+V A I C α β α = β β+1 β = α α+1 A v db e V D VT 1 db
Onderzoek werking T-verter.
Onderzoek werking T-verter. De Beer Gino Page 1 02/10/2007 Inhoudstabel: 1. Doelstellingen. 2. Benodigd materiaal. 3. Bespreking van de frequentieregelaar. 4. Instellingen en gebruik van de frequentieregelaar.
Hoofdstuk 5: Laagfrequent vermogenversterkers
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 5: Laagfrequent vermogenversterkers 1: De gemeenschappelijke emitterschakeling Beschouw de gemeenschappelijke emitterschakeling weergegeven
Inhoudsopgave Schakelen van luidsprekers
Inhoudsopgave Inhoudsopgave...2 Inleiding...3 Vermogen...3 Impedantie...3 Serieschakeling van luidsprekers...4...4...4...4 Voorbeeld...4 Parallelschakeling van luidsprekers...4...4...4...4 Voorbeeld...5
Leerling maakte het bord volledig zelf
3. Oefeningen en Metingen 3.. Montageoefening Bouw een paneel als volgt: lampvoeten monteren draden van de lampvoeten naar een suikertje verbindingsstuk brengen. Twee verbindingsstukken doorverbinden.
Schriftelijke zitting Systeem- en regeltechniek 2 (WB2207) 31 oktober 2006 van 14:00 tot 17:00 uur
Schriftelijke zitting Systeem- en regeltechniek 2 (WB2207) 31 oktober 2006 van 14:00 tot 17:00 uur Onderstaande aanwijzingen nauwkeurig lezen. Vul op het voorblad uw naam, voorletters, studienummer en
TENTAMEN Versterkerschakelingen en Instrumentatie (EE1C31)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT Faculteit Elektrotechniek, Wiskunde en Informatica TENTAMEN Versterkerschakelingen en Instrumentatie (EE1C31) 23 juli 2015, 9.00-12.00 uur Dit tentamen bestaat uit twee opgaven
Hoofdstuk 26 Gelijkstroomschakeling
Hoofdstuk 26 Gelijkstroomschakeling Inhoud hoofdstuk 26 Elektromotorische kracht (emk) en klemspanning. Weerstanden in serie en parallel De wetten van Kirchhoff Spanningbronnen in serie en parallel; batterijen
DEEL 9 :Triode voorversterker. MAES FRANK
DEEL 9 :Triode voorversterker MAES FRANK 0476501034 [email protected] MAES Frank Triode VV Mei 2015 1 Inleiding We hebben tot nu toe aangenomen dat we bij onze buizenversterker met een 12AX7 altijd
1. Weten wat elektrische stroom,spanning en vemogen is en het verband ertussen kennen 2. Elektrische netwerken kunnen oplossen
Hoofdstuk 3 Elektrodynamica Doelstellingen 1. Weten wat elektrische stroom,spanning en vemogen is en het verband ertussen kennen 2. Elektrische netwerken kunnen oplossen Elektrodynamica houdt de studie
9 PARALLELSCHAKELING VAN WEERSTANDEN
9 PARALLELSCHAKELING VAN WEERSTANDEN Een parallelschakeling komt in de praktijk vaker voor dan een serieschakeling van verbruikers. Denken we maar aan alle elektrische apparaten die aangesloten zijn op
Academiejaar Eerste Examenperiode Opleidingsonderdeel: Elektrische Schakelingen en Netwerken. EXAMENFOLDER maandag 27 januari 2014
Universiteit Gent naam: Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur voornaam: de Bachelor Ingenieurswetenschappen richting: Opties C,, TN en W prof. Kristiaan Neyts Academiejaar 03-04 erste xamenperiode
Tentamen Elektronische Schakelingen (ET1205-D2)
Vul op alle formulieren die je inlevert je naam en studienummer in. Tentamen Elektronische chakelingen (ET1205-2) atum: donderdag 30 augustus 2007 Tijd: 09.00 12.00 uur Naam: tudienummer: Cijfer Lees dit
Elektronische Schakelingen. Opgave 1. (4 punten) Naam: Studienummer: Kwartaaltentamen 4 e kwartaal, 12 juni 2001, 14:00 16:00.
Naam: Elektronische Schakelingen Studienummer: Kwartaaltentamen 4 e kwartaal, 12 juni 2001, 14:00 16:00. Gebruik deze opgavenbladen ook voor de antwoorden, in de aangegeven ruimtes en sjablonen, maar houd
Vak: Elektromagnetisme ELK Docent: ir. P.den Ouden nov 2005
Onderstaande opgaven lijken op de de verwachten tentamenvragen. Getallen bij beweringen kunnen zijn afgerond, om te voldoen aan de juiste significantie. BEGIN TOETS 1 Een magnetisch veld kan worden voorgesteld
Noorderpoort Beroepsonderwijs Stadskanaal. Reader. Wet van Ohm. J. Kuiper. Transfer Database
Noorderpoort Beroepsonderwijs Stadskanaal Reader Wet van Ohm J. Kuiper Transfer Database ThiemeMeulenhoff ontwikkelt leermiddelen voor Primair Onderwijs, Algemeen Voortgezet Onderwijs, Beroepsonderwijs
Hoofdstuk 1: De diode
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 1: De diode 1: Algemeenheden en terminologie 1.1: Halfgeleidermateriaal Halfgeleiders zijn materialen met een elektrische geleidbaarheid
Dit tentamen bestaat uit vier opgaven verdeeld over drie bladzijden. U heeft drie uur de tijd.
Tentamen Signaal Verwerking en Ruis Dinsdag 10 13 uur, 15 december 2009 Dit tentamen bestaat uit vier opgaven verdeeld over drie bladzijden. U heeft drie uur de tijd. 1. Staprespons van een filter [elk
TOELATINGSEXAMEN ANALYSE BURGERLIJK INGENIEUR EN BURGERLIJK INGENIEUR ARCHTECT - 3 JULI 2003 BLZ 1/8
BURGERLIJK INGENIEUR ARCHTECT - 3 JULI 2003 BLZ 1/8 1. De functie f(x) = e kx + ax + b met a, b en k R en k < 0 heeft een schuine asymptoot y = x voor x + en voldoet aan de vergelijking Bepaal a, b en
Hoofdstuk 1: De OPAMP
Elektronica: Tweede kandidatuur industrieel ingenieur 1 Hoofdstuk 1: De OPAMP 1: Definitie Een opamp (= operational amplifier = operationele versterker) is een versterker met twee ingangen en (meestal)
Flashing Eye Robot! Knipperlicht Circuit! Clubjesmiddag 18 Mar Adam Dorrell
NL Flashing Eye Robot! Knipperlicht Circuit! Clubjesmiddag 18 Mar 2014 Adam Dorrell Agenda Maak een "Flitsende Robot" We maken gebruik van elementaire elektronische schakeling jullie leren hoe het werkt
