EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM 3modulewiththetrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = 8 C, Tvj max = C TC = 25 C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM 5 TC = 25 C, Tvj max = Ptot 25 W GES +/-2 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC CE sat 95,,,7, IC =,2 m, CE = GE, GEth 4,9 5,8 6,5 GE = -5... +5 QG, RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 4, nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres, nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC =, CE = GE = ±5 RGon = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGon = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff = Ω IC =, CE = GE = ±5 RGoff = Ω IC =, CE =, LS = nh GE = ±5, di/dt = 2 / () RGon = Ω IC =, CE =, LS = nh GE = ±5, du/dt = 2 / () RGoff = Ω GE 5, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,6,65,7,,65,7,4,5,6 3,5 4, 4,5 2, 3, 3,8 5 38 proigbt/perigbt RthJC, K/W proigbt/perigbt RthCH,6 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = ms IFRM 5 R =, tp = ms, R =, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 IF =, - dif/dt = 2 / (Tvj=5 C) R = GE = -5 I²t F IRM Qr Erec 6,55,5, 38, 48, 5, 2, 4, 5,,35,8, ²s ²s,95 prodiode/perdiode RthJC,95 K/W prodiode/perdiode RthCH,255 K/W Tvj op -4 5 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip GleichrichterusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM TC = 8 C IFRMSM TC = 8 C IRMSM tp = ms, tp = ms, tp = ms, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Sperrstrom Reversecurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IFSM I²t 74 58 2 7, IF = F,5 ²s ²s, R = IR, m prodiode/perdiode RthJC,5 K/W prodiode/perdiode RthCH,35 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s 2
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TC = 8 C, Tvj max = C TC = 25 C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM TC = 25 C, Tvj max = Ptot W GES +/-2 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 IC = 5, GE = 5 IC CE sat 5,,,7, IC =,8 m, CE = GE, GEth 4,9 5,8 6,5 GE = -5... +5 QG,5 RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 3, nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres,95 nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE = 2, IGES 4 n IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 43 Ω IC = 5, CE = GE = ±5 RGoff = 43 Ω IC = 5, CE =, LS = t.b.d. nh GE = ±5 RGon = 43 Ω IC = 5, CE =, LS = t.b.d. nh GE = ±5 RGoff = 43 Ω GE 5, CC = 3 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,6,65,7,,65,7,4,5,6 2, 2, 2,, 2, 2,5 35 25 proigbt/perigbt RthJC,8 K/W proigbt/perigbt RthCH,7 K/W Tvj op -4 5 C preparedby:s 3
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF 2 tp = ms IFRM 4 R =, tp = ms, R =, tp = ms, Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, GE = IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = IRM IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = Qr IF = 2, - dif/dt = 25 / (Tvj=5 C) R = Erec I²t F,,,,55,5 36, 38, 42,,,7 2,2,25,4,55 ²s ²s 2, prodiode/perdiode RthJC 2, K/W prodiode/perdiode RthCH,62 K/W Tvj op -4 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5, kω TC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/5 33 K R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 t.b.d. K R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ t.b.d. K preparedby:s 4
Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL 2,5 k Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 CTI > 225 promodul/permodule, 7,5 min. typ. max. mm mm RthCH,9 K/W LsCE nh TC=25 C,proSchalter/perswitch Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier RCC'+EE' R'+CC' 4, 2, Tvj max Tvj op -4-4 5 5 5 Tstg -4 25 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote mω C C C C M 3, - 6, Nm G g preparedby:s 5
usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C 5 35 2 5 35 2 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = 9 5 5 IC [] IC [] 5 5,,5,,5 2, 2,5 3, CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=Ω,RGoff=Ω,CE= 5 35 2 9 8 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 5 7 6 IC [] E [] 5 4 3 2 5 5 6 7 8 9 2 GE [] 5 5 2 35 5 IC [] preparedby:s 6
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE= TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) E [] 5 4 3 2 9 8 7 6 5 4 3 2 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 5 5 2 35 5 RG [Ω] ZthJC [K/W], ZthJC : IGBT i: ri[k/w]: τi[s]:,36, 2,98,2 3,92,5 4,74,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=Ω,Tvj=5 C 65 IC, Modul 5 IC, Chip 35 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) 5 35 2 IC [] 2 5 IF [] 5 5 5 2 4 5 7 CE [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, F [] preparedby:s 7
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,CE= SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,CE= 2,,8 Erec, Erec, 2,,8 Erec, Erec,,6,6,4,4,2,2 E [], E [],,8,8,6,6,4,4,2,2, 5 5 2 35 5 IF [], 5 5 2 35 5 RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) IF=f(F) ZthJC : Diode 5 35 2 5 ZthJC [K/W], IF [] i: ri[k/w]: τi[s]:,57, 2,335,2 3,4,5 4,25,,,,, t [s] 5,,2,4,6,8,,2,4,6 F [] preparedby:s 8
usgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=5 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) 4 35 8 7 25 IC [] 5 IF [] 2 4 5 2 5,,5,,5 2, 2,5 3, CE [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 F [] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] 2 4 8 2 4 TC [ C] preparedby:s 9
Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:s
preparedby:s Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplicationnotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.